TAILIEUCHUNG - MOSFET MODELING FOR VLSI SIMULATION - Theory and Practice Episode 12

Tham khảo tài liệu 'mosfet modeling for vlsi simulation - theory and practice episode 12', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 416 9 Data Acquisition and Model Parameter Measurements Fig. Block diagram of an HP4275A LCR meter. The Lo and Hi terminals are connected to device under test whose capacitance is to be measured Hp as shown in Figure . It has an internal DC bias voltage which is supplied from the Hc terminal Hp is only for monitoring voltages and is kept in a high impedance state. The LCR meter monitors Lp and keeps its potential equal to the ground level by controlling the current into the Lc terminal. Since Lp is always at ground level there is no charge-discharge current due to the wiring capacitance or any other floating capacitances. The meter has a resolution of fF 9 . While measuring capacitance it may become necessary to correct the capacitance meter reading for the parasitic capacitance and inductance of the test fixture. Electrically the test fixture chuck probes and cables can be represented by three parasitic capacitances as shown in Figure . C1 and c2 are the stray and wiring capacitances to ground associated with the probe and the chuck respectively. As mentioned earlier these capacitances are ignored by three and four terminal capacitance meters. The capacitance Cp between the chuck and the probe for two terminal devices such as MOS capacitor can be reduced to less than pF by proper grounding and shielding cf. section low current measurement considerations . However for three or four terminal devices such as MOSFET Cp is the sum of 1 the capacitance Cmp between the polysilicon gate line and the metal lines of the source and the drain contacts pads and 2 the interprobe capacitance c p so that Cp Cmp cip see Figure . The gate-source or gate-drain line parasitic capacitance Cmp is fixed and Data Acquisition 417 b Fig. Schematic showing capacitances associated with the test fixture and device under test DUT for capacitance measurements of a an MOS capacitor b an MOSFET. independent of the terminal voltages. Generally test .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.