TAILIEUCHUNG - MOSFET MODELING FOR VLSI SIMULATION - Theory and Practice Episode 5

Tham khảo tài liệu 'mosfet modeling for vlsi simulation - theory and practice episode 5', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 136 4 MOS Capacitor E Etp ACCUMULATION 77777 7 777777 TAL t Eox f -OXIDE ooooooooooooooo p-TYPE SILICON Nb HOLE DENSITY DEPLETION TV9 Vfb T qVgo E mw 7Z INVERSION E Ej Ef E ELECTRON DENSITY - . Vg vfb ị Eox ị p-TYPE SILICON Nh T -xdm X ox c Fig. Effect of applied voltage on a p-type MOS capacitor a negative voltage Vs Vg vfb causes hole accumulation at the surface b positive voltage depletes holes from the silicon surface and c a large positive Vso causes inversion forming an n-type layer at the silicon surface charged acceptor ions. In other words a positive charge on the gate induces a negative charge Qs at the silicon surface. Since holes are depleted at the surface it is referred to as the depletion condition. This is analogous to the depletion region in pn junctions discussed in section . Since hole concentration decreases at the surface we see from Eq. that Ej Ey MOS Capacitor at Non-Zero Bias 137 must decrease resulting in E coming closer to Ef thereby bending the bands downward near the surface Figure . Thus in K Vfb depletion Ị S 0 0. Let us now calculate the depletion layer charge. The band bending potential must satisfy Poisson s equation and is used to calculate the induced charge Qs within the space charge region of width xd at the surface also called the depletion width. We refer to this induced charge in the depletion region as the bulk charge denoted by Qb. Applying Gauss law we have cf. Eq. Qb - 2s depletion - 0 s s F cm2 . Under the depletion approximation cf. section n p 0 no free carriers and the assumption that the substrate is p-type uniform concentration Nb cm 3 so that Na Nb Nd the Poisson equation becomes for 0 x Xd. dx2 eoesi Integrating the above equation twice from the interface x 0 to the depletion edge x xd and using the boundary conditions f j s and asi at X 0 dx and ệ d - Q at X xd dx we get ộ x ộs 1--M V which gives a relationship between the band bending .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.