TAILIEUCHUNG - Ferroelectrics Applications Part 10

Tham khảo tài liệu 'ferroelectrics applications part 10', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 196 Ferroelectrics - Applications the organic films Ma et al. 2004 . The bending characteristics of the resistive-type nonvolatile polymer memory device fabricated on the poly ethylene terephthalate were well demonstrated Ji Y. et al. 2010 . In place of organic layers binary oxide thin-films which can be deposited at low temperature were also employed for the resistance change operation Lee S. et al. 2009 Seo J. W. et al. 2009 . The feasibility for the three-dimensional stacked memory concept was also introduced by implementing one-diode CuO InZnO -one-resistor NiO storage node with InGaZnO IGZO thin-film transistors Lee M. J. et al. 2009 . Charge-injection has also been utilized for the nonvolatile memory operation for which specified device structures such as organic bilayers Ma et al. 2002 or nanoparticle-embedded organic layers Leong W. L. et al. 2009 have been proposed. Organic thin-film transistor having a floating-gate for charge storing is one of the most typical memory transistors fabricated on the plastic substrates Baeg K. J. 2010 Wang W. et al. 2009 . On the other hand the ferroelectric-based field effect transistor FeFET have features that remnant polarization of ferroelectric gate insulator can be employed for the nonvolatile memory actions Kang S. J. et al. 2009a Lim S. H. et al. 2004 . Although each device configuration has pros and cons the practical memory array embeddable into the flexible electronic systems have not been yet commercialized. Tracing the nonvolatile memory technologies in Si-based electronics back to 1990s the FeFET was one of the most promising devices replacing the conventional flash memory facing physical scaling limitations at those times. However the crosstalk for random accessibility and short data retention time of the FeFET were concluded to be fatal drawbacks for the mass-production although it successfully claimed the ultimate scalability and nondestructive readout characteristics. Unlike these situations in the Si-based

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.