TAILIEUCHUNG - Carbon Alloys part 9

Tham khảo tài liệu 'carbon alloys part 9', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 264 Chapter 16 Fig. 5. Selective etching reaction of surface c atoms by exposing to o gas X IO 1 Pa at RT in the same area visualized by STM a 0 L before exposure nA K 10 mV b L nA Kj 20 mV c L nA K 20 mV d L nA r 20 mV . X nm . The STM tip was retracted during exposure to oxygen gas. Each image was measured under UHV without oxygen ambient e A magnified image of the square region in c with lines of the 1X1 lattice. X nnf. f Model structure of e . Empty circles and shaded circles represent Mo and c atoms respectively. Figure 5d indicates that 100 carbon atoms were etched by X IO3 molecules of oxygen impinging on the area. Etching of the surface carbon atoms by oxygen at room temperature is unexpected because both carbon and oxygen atoms are strong adsorbates on molybdenum metal surfaces. The carbon and oxygen atoms could not be removed from the molybdenum surfaces below 1200 K when adsorbed as a single element 24 25 . If carbon and oxygen atoms co-exist on molybdenum metals they desorb as carbon monoxide at temperatures of 1000 K 24 25 An air-exposed Mo c catalyst desorbs carbon monoxide and carbon dioxide at temperatures above 800 K 26 Thus stable adsorbed oxygen atoms cannot etch carbon atoms on a Mo C 0001 surface. On the other hand a dissociative adsorption of O2 on Al lll 27 or Pt lll 28 produces hot oxygen atoms with translational energies parallel to the surface. Thermoinduced or photo-induced hot oxygen atoms on Pt lll react with adsorbed carbon monoxide to form carbon dioxide at temperatures below 150 K 29 . Such energetically excited oxygen atoms formed on the surface should be responsible for the etching reactions reported above. The STM tip does not contribute to the etching reaction. The tip was retracted from the tunneling region during exposure to oxygen gas. Each frame of Fig. 5 is a sequential STM image measured under ultra-high-vacuum UHV conditions. The etched area was unchanged in the .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.