TAILIEUCHUNG - Optoelectronics Devices and Applications Part 2

Tham khảo tài liệu 'optoelectronics devices and applications part 2', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Integrating Micro-Photonic Systems into Standard Silicon CMOS Integrated Circuitry 29 3. Viable optical sources for all- silicon CMOS technology The availability of optical sources suitable for integration into CMOS technology is evaluated. A survey reveals that a number of light emitters have been developed since the nineties that can be integrated into mainstream silicon technology. They range from forward biased Si p-n LEDs which operate at 1100 nm Green et al 2001 Kramer et al 1993 Hirschman et al 1996 avalanche based Si LEDs which operate in the visible from 450 - 650 nm Brummer et al 1993 Kramer et al 1993 Snyman et 1996- 2006 organic light emitting diodes OLED incorporated into CMOS structures which also emit in the visible Vogel et al. 2007 to strained layer Ge-on-ilicon structures radiating at 1560 nm Lui 2010 . Fig. 6 illustrates the spectral radiance versus wavelength for a number of these light sources as found in various citations. Forward biased p-n junction LEDs and Ge-Si hetero-structure devices emit between 1100 and 1600 nm. This wavelength range lies beyond the band edge absorption of silicon and all silicon detectors respond only weakly or not at all to this radiation. Hence these technologies are not viable for the development of only silicon CMOS photonic systems. The Ge-Si heterostructure can be realized in Si-Ge CMOS processes but increases complexity and costs. Organic based Light Emitting Diodes OLED utilize the sandwiching of organic layers between doped silicon semiconductor layers with high yields between 450 and 650 nm Vogel et al 2007 . In spite the incorporation of foreign organic materials through postprocesses this technology is a viable option. The photonic emission levels are quite high up to 100 cd m-2 at V and 100 mA cm-2. The organic layers must be deposited and processed at low temperature. This technology is therefore particularly suited for post processing and as optical sources in the outer layers of the CMOS .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.