TAILIEUCHUNG - Solid State Circuits Technologies Part 7

Tham khảo tài liệu 'solid state circuits technologies part 7', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 172 Solid State Circuits Technologies Fig. 20. 30 c. Summary A single metal gate with a mid-gap work function may not be able to achieve a low MOSFET threshold voltage and boost performance however it has potential for fully depleted silicon-on-insulator FDSOI applications. Dual metals with work functions similar to n polysilicon and p polysilicon pose significant integration challenges. Thermodynamic and mechanical stability is an important issue in the choice of metal gate materials. Both the gate first and gate last integration have advantages and disadvantages. The final choice of integration scheme will be decided by performance yield and cost. 3. Device characteristics using High-k Metal Gate HKMG stack Impact of defects in the HKMG stack on device performance and reliability As mentioned in section the deposited high-k gate dielectric contains a high defect density in the bulk even after a post-deposition anneal PDA . The quality of the interface between the silicon substrate and interfacial layer IL is not as good as the interface between silicon and conventional thermally grown gate oxide SiO2. A TEM cross-section of the HKMG gate stack shown in Figure 21 highlights the different regions of the gate stack. The defects in the bulk of the high-k gate dielectric and at the interface between the silicon substrate and IL have a significant impact on device performance and reliability such as threshold voltage stability. As discussed in Section the best candidate for a high-k dielectric is Hf-based metal oxide. Therefore the following discussion is based on HfO2 metal gate stacks. 173 The Progress and Challenges of Applying High-k Metal-Gated Devices to Advanced CMOS Technologies Fig. 21. Si IL interface improvement - stressed relaxed pre-oxide 31 Depositing high-k on top of thick high quality thermally grown SiO2 taking the advantage of its better interface quality is not desirable because we need a thin gate dielectric to increase

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.