TAILIEUCHUNG - bài giảng Kỹ thuật điện tử và tin học phần 2

thuộc vào nồng độ hạt thiểu số lúc cân bằng, vào độ dài và hệ số khuếch tán tức là vào bản chất cấu tạo chất bán dẫn tạp chất loại n và p và do đó phụ thuộc vào nhiệt độ. UT = KT/q gọi là thế nhiệt; ở T= 300 0K với q = 1, – 19 C, k = 1, J/K UT có giá xấp xỉ 25,5mV; m = (1 2) là hệ số hiệu chỉnh giữa lí thuyết và thực tế - | thuộc vào nồng độ hạt thiểu số lúc cân bằng vào độ dài và hệ số khuếch tán tức là vào bản chất cấu tạo chất bán dẫn tạp chất loại n và p và do đó phụ thuộc vào nhiệt độ. Ut KT q gọi là thế nhiệt ở T 300 0K với q 1 - 19 C k 1 J K UT có giá xấp xỉ 25 5mV m 1 2 là hệ số hiệu chỉnh giữa lí thuyết và thực tế - Tại vùng mở phân cực thuận UT và Is có phụ thuộc vào nhiệt độ nên dạng đường cong phụ thuộc vào nhiệt độ với hệ số nhiệt được xác định bởi đạo hàm riêng UAK theo nhiệt độ. dUAK ÔT Ia const mV 2 K nghĩa là khi giữ cho đòng điện thuận qua van không đổi điện áp thuận giảm tỉ lệ theo nhiệt độ với tốc độ -2mV K. - Tại vùng khóa phân cực ngược giá trị dòng bão hòa Is nhỏ 10- 12 A cm2 với Si và 10-6 A cm2 với Ge và phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ với mức độ 10 giá trị 0k Is T 100K Is tức là đòng điện ngược tăng gấp đôi khi gia số nhiệt độ tăng IOOC - Các kết luận vừa nêu đối với Is và UAK chỉ rõ hoạt động của điôt bán dẫn phụ thuộc mạnh vào nhiệ độ và trong thực tế các mạch điện tử có sử dụng tới điốt bán dẫn hoặc tranzito sau này người ta cần có nhiều biện pháp nghiêm ngặt để duy trì sự ổn định của chúng khi làm việc chống bù lại các nguyên nhân kể trên do nhiệt độ gây ra. - Tại vùng đánh thủng khi UAK 0 và có trị số đủ lớn dòng điện ngược tăng đột ngột trong khi điện áp giữa anốt và katốt không tăng. Tính chất van của điốt khi đó bị phá hoại. Tồn tại hai đang đánh thủng chính Đánh thủng vì nhiệt do tiếp xúc p-n bị nung nóng cục bộ vì va chạm của hạt thiểu số được gia tốc trong trường mạnh. Điều này dẫn tới quá trình sinh hạt ồ ạt ion hóa nguyên tử chất bán dẫn thuần có tính chất thác lũ làm nhiệt độ nơi tiếp xúc tiếp tục tăng. Dòng điện ngược tăng đột biến và mặt ghép p-n bị phá hỏng. Đánh thủng vì điện do hai hiệu ứng ion hóa do va chạm giữa hạt thiểu số được gia tốc trong trường mạnh cỡ 105V cm với nguyên tử của chất bán dẫn thuần thường xảy ra ở các mặt ghép p-n rộng hiệu ứng Zener và hiệu ứng xuyên hầm Tuner xảy ra ở các tiếp xúc p-n hẹp do pha tạp chất .

• Điện - Điện tử
• Kỹ thuật điện tử
• điện tử và tin học
• giáo trình điện tử tin học
• tài liệu điện tử
• mẹo hay về điện tử
• Ôn tập kỹ thuật điện tử
• Để cương kỹ thuật điện tử
• Bài giảng kỹ thuật điện tử
• Đề thi kỹ thuật điện tử
• Giáo rình kỹ thuật điện tử
• Bài giảng Kỹ thuật điện điện tử
• Kỹ thuật điện điện tử
• Tìm hiểu kỹ thuật điện tử
• Tài liệu kỹ thuật điện điện tử
• Dòng điện hình sin
• Đề thi học kỳ
• Kỹ thuật điện
• Đề thi Kỹ thuật điện Điện tử
• Bài tập Kỹ thuật điện Điện tử
• Kỹ thuật điện Điện tử
• Giáo trình kỹ thuật điện tử
• Đề cương kỹ thuật điện tử
• Tài liệu kỹ thuật điện tử
• Bài tập kỹ thuật điện tử
• Kỹ thuật mạch điện tử
• Bài giảng kỹ thuật mạch điện tử
• Đề cương kỹ thuật mạch điện tử
• Mạch khuếch đại
• Nguyên lý kỹ thuật điện tử
• Thực hành Kỹ thuật điện tử
• Hướng dẫn làm bài Kỹ thuật điện tử
• Môn Kỹ thuật điện tử
• Đề thi kỹ thuật mạch điện tử
• Ôn tập kỹ thuật mạch điện tử
• Kiểm tra kỹ thuật mạch điện tử
• Câu hỏi kỹ thuật mạch điện tử
• Ôn thi kỹ thuật mạch điện tử
• Đề thi Kỹ thuật điện
• Bài tập Kỹ thuật điện
• Tài liệu kỹ thuật điên tử
• Công nghệ điện tử
• Điện tử cơ bản
• Kỹ thuật điện tử cơ bản
• Kỹ thuật xung
• Ứng dụng kỹ thuật điện tử
• Ứng dụng kỹ thuật điện
• Kỹ thuật xung cơ điện