TAILIEUCHUNG - Materials Science and Engineering - Electronic and Mechanical Properties of Materials Part 5

Tham khảo tài liệu 'materials science and engineering - electronic and mechanical properties of materials part 5', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Density of Thermally Promoted of Carriers Number of electrons per f r . TT-TR volume in conduction J g band I Density of electron states per volume per dE Fraction of states occupied at a particular temperature E-Ef e kcT when E - EF kbT f E -1 1 e kbT 3 g E f I 2 e - E 2 g 2n 21 h2 I g f 1 n Since J x -e dx then n 2I 0 2 2nh2 3 . 1 f 2m Ì2 E f n rl - I e 2n H h2 J E Eg 3 u rr 2 EF Ec mekbT I e ĨÉ eltT 1 E 2 kT dE V J e- Eg Ỵe Nc n NC E. Fitzgerald-1999 11 Density of Thermally Promoted of Carriers A similar derivation can be done for holes except the density of states for holes is used Even though we know that n p we will derive a separate expression anyway since it will be useful in deriving other expressions g v E 3 1 f 2 111 - E 2 2n 2 I h - . 0 p J fh E gv E dE where fh 1 - f E -f 3 p mkT Ìf 2nh2 J E F - kb T e b Ef kb T p Nv e b E. Fitzgerald-1999 12 6 Thermal Promotion Because electron-hole pairs are generated the Fermi level is approximately in the middle of the band gap The law of mass action describes the electron and hole populations since the total number of electron states is fixed in the system _ c -Es 3 7 TiJm 1 n p gives Ef E kbTlnl I 2 4 t me J Since me and mh are close and in the ln term the Fermi level sits about in the center of the band gap 3 -E J kbT I 2 ị . 3 p or n ni 2l - b2-T- I Im m I4 e b t2nh2J y e v E. Fitzgerald-1999 13 Law of Mass Action for Carrier Promotion z -Ị rp 3 3 s _2 I kbT I kbT _ n. np 41 _ I -n mh I2 e b 12nh2 J v - Eg. El n NCNVe kbT Note that re-arranging the right equation leads to an expression similar to a chemical reaction where Eg is the barrier. NCNV is the density of the reactants and n and p are the products. N C NV e h - Eg .2 np ev n NcNv Nc N Thus a method of changing the electron or hole population without increasing the population of the other carrier will lead to a dominant carrier type in the material. Photon absorption and thermal excitation produce only pairs of carriers intrinsic .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.