TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Miniband-related 1.4–1.8 lm luminescence of Ge/Si quantum dot superlattices"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Miniband-related – lm luminescence of Ge/Si quantum dot superlattices | Nanoscale Res Lett 2006 1 137-153 DOI s11671-006-9004-x NANO EXPRESS Miniband-related gm luminescence of Ge Si quantum dot superlattices V. G. Talalaev G. E. Cirlin A. A. Tonkikh N. D. Zakharov P. Werner U. Gosele J. W. Tomm T. Elsaesser Published online 1 August 2006 to the authors 2006 Abstract The luminescence properties of highly strained Sb-doped Ge Si multi-layer heterostructures with incorporated Ge quantum dots QDs are studied. Calculations of the electronic band structure and luminescence measurements prove the existence of an electron miniband within the columns of the QDs. Miniband formation results in a conversion of the indirect to a quasi-direct excitons takes place. The optical transitions between electron states within the miniband and hole states within QDs are responsible for an intense luminescence in the gm range which is maintained up to room temperature. At 300 K a light emitting diode based on such Ge Si QD superlattices demonstrates an external quantum efficiency of at a wavelength of gm. PACS V. G. Talalaev H G. E. Cirlin A. A. Tonkikh N. D. Zakharov P. Werner U. Gosele Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik Weinberg 2 06120 Halle Saale Germany e-mail talalaev@ J. W. Tomm T. Elsaesser V. G. Talalaev Max-Born-Institut fur Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie Max-Born-Strasse 2A 12489 Berlin Germany V. G. Talalaev . Fock Institute of Physics St. Petersburg State University Ulyanovskaya 1 198504 Petrodvorets St. Petersburg Russia G. E. Cirlin A. A. Tonkikh Ioffe Physico-Technical Institute RAS 194021Polytekhnicheskaya 26 St. Petersburg Russia Introduction The development of efficient silicon-based light emitting devices is a challenging task in modern semiconductor physics and optoelectronics. Due to the indirect nature of the band gap bulk silicon has a poor luminescence. One of the promising approaches to increase the .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.