TAILIEUCHUNG - Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 7

• Transistor EMOSFET được thực hiện trên 1 giá ( nền , thân) Si loại p. Và trên nền nói trên 2 vùng pha đậm n+ được khuếch tán tạo nên cực nguồn S và cực thoát D. • Một lớp cách điện ( SiO2) đặt dưới cực cổng G, nên điện trở ngõ vào ( cực G ) rất lớn có thể đến vài chục – vài trăm Gohm. • Do cấu trúc như trên nên FET này có tên MOSFET ( MOS–Metal-Oxide-Semiconductor ) • Do giữa 2 cực S và D thành lập vùng hiếm lớn, nên MOSFET. | Transistor EMOSFET được thực hiện trên 1 giá nền thân Si loại p. Và trên nền nói trên 2 vùng pha đậm n được khuếch tán tạo nên cực nguồn S và cực thoát D. Một lớp cách điện SiO2 đặt dưới cực cổng G nên điện trở ngõ vào cực G rất lớn có thể đến vài chục - vài trăm Gohm. Do cấu trúc như trên nên FET này có tên MOSFET MOS-Metal-Oxide-Semicon-ductor Do giữa 2 cực S và D thành lập vùng hiếm lớn nên MOSFET không dẫn điệnkhi chưa được phân cực . N-DMOSFET Source Drain Gate Metal electrodes Depletion layer Sio 2 insulation Heavily doped n -region Fig. 6 The basic structure of the enhancement MOSFET and its chcuit symbol. From Principles of Electronic Materials and Devices Second Edition . Kasap McGraw-Hill 2002 http .

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.