Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
• Transistor EMOSFET được thực hiện trên 1 giá ( nền , thân) Si loại p. Và trên nền nói trên 2 vùng pha đậm n+ được khuếch tán tạo nên cực nguồn S và cực thoát D. • Một lớp cách điện ( SiO2) đặt dưới cực cổng G, nên điện trở ngõ vào ( cực G ) rất lớn có thể đến vài chục – vài trăm Gohm. • Do cấu trúc như trên nên FET này có tên MOSFET ( MOS–Metal-Oxide-Semiconductor ) • Do giữa 2 cực S và D thành lập vùng hiếm lớn, nên MOSFET. | Transistor EMOSFET được thực hiện trên 1 giá nền thân Si loại p. Và trên nền nói trên 2 vùng pha đậm n được khuếch tán tạo nên cực nguồn S và cực thoát D. Một lớp cách điện SiO2 đặt dưới cực cổng G nên điện trở ngõ vào cực G rất lớn có thể đến vài chục - vài trăm Gohm. Do cấu trúc như trên nên FET này có tên MOSFET MOS-Metal-Oxide-Semicon-ductor Do giữa 2 cực S và D thành lập vùng hiếm lớn nên MOSFET không dẫn điệnkhi chưa được phân cực . N-DMOSFET Source Drain Gate Metal electrodes Depletion layer Sio 2 insulation Heavily doped n -region Fig. 6.3 6 The basic structure of the enhancement MOSFET and its chcuit symbol. From Principles of Electronic Materials and Devices Second Edition s.o. Kasap McGraw-Hill 2002 http Materials.Usa .