TAILIEUCHUNG - Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 3

cho VDS = và VGS | regions further widen near the drain end eventually pinching off the channel. This corresponds to the saturation region Gate Source ------------------- Drain Pinched-off channel cho VDS và VGS 0 Khi VGS 0 VGS1 -1V Nối pn phân cực nghịch vùng hiếm lớn hơn khi VGS 0V dòng thoát ID có trị nhõ hơn và trị số điện thế nghẽn Vp1 cũng nhỏ hơn Vpo. Khi cho VGS càng âm VGS2 -2V vùng hiếm càng tăng kênh càng hẹp hơn dòng ID càng nhõ hơn nữa và Vp2 Vp1. Khi VGS âm đủ lớn thí dụ VGS - 5V vùng hiếm quá lớn làm kênh bị tắt dòng ID 0 và điện thế phân cực cổng - nguồn là điện thế ngưng Vgsoff - Vpo. Sộ V GS -5 V SCL p 9D G VDS Fig. When Vgs -5 V the depletion layers close the whole channel from the start at VDS 0. As VDS is increased there is a very small drain current which is the small reverse leakage current due to thermal generation of carriers in the depletion layers. From Principles of Electronic Materials and Devices Second Edition . Kasap McGraw-Hill 2002 http M .

TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
8    164    3    23-12-2024
11    163    2    23-12-2024
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.