TAILIEUCHUNG - Photodiodes Communications Bio Sensings Measurements and High Energy Part 2

Tham khảo tài liệu 'photodiodes communications bio sensings measurements and high energy part 2', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Photodiodes with High Speed and Enhanced Wide Spectral Range 11 For obtaining the responsivity spectrum we utilized a tungsten lamp monochromator multi-mode fiber MMF combination as the optical source for measurement. Fig. 6 shows the measurement results of the InGaAs pin PD with the InP cap removed. The device exhibits a quantum efficiency higher than 80 in the pm wavelength range and higher than 70 in the pm wavelength range. Fig. 6. Responsivity spectra measured at -5 V. To see if the device with the InP cap removed still retains its high-frequency operation capabilities the device was mounted onto a SMA-connector for dynamic characterizations. For the 3-dB bandwidth measurements the packaged device was characterized at wavelength using HP8703 lightwave component analyzer. As shown in Fig. 7 the device operating at -5 V achieves a 3-dB bandwidth of about GHz. Furthermore to see the transmission characteristics the non-return-to-zero NRZ pseudorandom codes of length 23l-1 at Gbps data rate using the multimode and singlemode fibers were fed into the photodiode respectively. Fig. 8 shows the back-to-back eye diagrams. It is observed that both the eye diagrams of Fig. 8 a and Fig. 8 b wavelengths are distinguishably open and free of intersymbol interference and noise. These characteristics prove that the InGaAs p-i-n photodiode is well qualified for high-speed fiber communication .20 10 . -30 12 Photodiodes - Communications Bio-Sensings Measurements and High-Energy Physics Fig. 7. Device characteristics in frequency response at the wavelength. 5. 10-GBPS InGaP-GaAs p-i-n photodiodes with wide spectral range 11 The epitaxial structure of InGaP-GaAs p-i-n PD was grown by MOCVD on the n -GaAs substrate. A non-intentional doped GaAs absorption layer was grown on a 200 nm GaAs buffer layer. This was followed by a 10 nm grading layer which was doped p type with a carrier .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.