TAILIEUCHUNG - báo cáo hóa học:" Research Article An Efficient Segmental Bus-Invert Coding Method for Instruction Memory Data Bus Switching Reduction"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Research Article An Efficient Segmental Bus-Invert Coding Method for Instruction Memory Data Bus Switching Reduction | Hindawi Publishing Corporation EURASIP Journal on Embedded Systems Volume 2009 Article ID 973976 10 pages doi 2009 973976 Research Article An Efficient Segmental Bus-Invert Coding Method for Instruction Memory Data Bus Switching Reduction Ji Gu and Hui Guo School of Computer Science and Engineering The University of New South Wales Sydney 2052 Australia Correspondence should be addressed to Ji Gu jigu@ Received 20 January 2009 Accepted 3 July 2009 Recommended by Antonio Nunez This paper presents a bus coding methodology for the instruction memory data bus switching reduction. Compared to the existing state-of-the-art multiway partial bus-invert MPBI coding which relies on data bit correlation our approach is very effective in reducing the switching activity of the instruction data buses since little bit correlation can be observed in the instruction data. Our experiments demonstrate that the proposed encoding can reduce up to 42 of switching activity with an average of 30 reduction while MPBI achieves just reduction in switching activity. Copyright 2009 J. Gu and H. Guo. This is an open access article distributed under the Creative Commons Attribution License which permits unrestricted use distribution and reproduction in any medium provided the original work is properly cited. 1. Introduction Designs of portable consumer electronic devices such as mobile phones PDAs video games and other embedded systems are increasingly demanding low power consumption to maximize the battery life reduce weight and improve reliability. These types of power sensitive devices are usually equipped with microprocessors as the processing elements and memories as the storage units. With current CMOS technology a large portion of power consumption is consumed in the form of dynamic power which in turn is determined by the bit switching and the switched load capacitance. Leakage power becomes unneglectable in nanoscaled devices. However leakage power .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.