TAILIEUCHUNG - Advances in Solid State Part 14

Tham khảo tài liệu 'advances in solid state part 14', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Germanium Doped Czochralski Silicon 381 could be gathered by germanium atoms to generate germanium-vacancy-related complexes and thus benefit the generation of polyhedral precipitates so that the oxygen precipitates could be presented as mixed morphologies in GCZ silicon. Normally when subjected to the high temperature treatments the inner Si-O and Si-Si bonding in the oxygen precipitates can be easily cracked and the oxygen atoms situated in the precipitate originally could revert to interstitial oxygen atoms and finally diffuse out the precipitates. Ascribed to the distribution of smaller-sized and higher-density precipitates the total surface area of oxygen precipitates in GCZ silicon can be dramatically heightened. The net oxygen flux out of precipitates is enhanced and the precipitates can be therefore dissolved easier in GCZ silicon. 5. Void defects Voids the main micro-defects in modern large diameter silicon crystal play more important roles in the reliability and yield of ULSI devices. It is well established that voids especially those locate in the near-surface region of wafers can deteriorate gate oxide integration GOI and enhance the leakage current of metal-oxide-semiconductor devices Huth et al. 2000 Park et al. 2000 . As a result of the agglomerations of excess vacancies during crystal growth it is believed that voids are normally of an octahedral structure about 100-300 nm in size and with a thin oxide film of about 2nm on their 111 surfaces Itsumi et al. 1995 Yamagishi et al. 1992 . It has been reported that during cooling-down process of silicon crystal from the melting point to room temperature grown-in voids are formed with densities between 105-107cm-3 Yamagishi et al. 1992 . The techniques to control voids have been studied extensively over years and three different ways to achieve this have been widely accepted 1 thermally controlled CZ silicon crystal growth Voronkov 1982 2 high-temperature annealing Wijaranakula 1994 and 3 nitroge doping Yu

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.