TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Magnetotransport in an aluminum thin film on a GaAs substrate grown by molecular beam epitaxy"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Magnetotransport in an aluminum thin film on a GaAs substrate grown by molecular beam epitaxy | Lo et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 102 http content 6 1 102 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Magnetotransport in an aluminum thin film on a GaAs substrate grown by molecular beam epitaxy 1 1 2 1 1 2 Shun-Tsung Lo Chiashain Chuang Sheng-Di Lin Kuang Yao Chen Chi-Te Liang Shih-Wei Lin Jau-Yang Wu 2 Mao-Rong Yeh1 Abstract Magnetotransport measurements are performed on an aluminum thin film grown on a GaAs substrate. A crossover from electron- to hole-dominant transport can be inferred from both longitudinal resistivity and Hall resistivity with increasing the perpendicular magnetic field B. Also phenomena of localization effects can be seen at low B. By analyzing the zero-field resistivity as a function of temperature T we show the importance of surface scattering in such a nanoscale film. Introduction Aluminum has found a wide variety of applications in heat sinks for electronic appliances such as transistors and central processing units electrical transmission lines for power distribution and so forth. As a result it is highly desirable to prepare high-quality aluminum materials for practical device applications. In particular the epitaxial growth of Al thin films on GaAs substrates has attracted much interest because of its relevance to the field of electronic interconnects 1 2 . Fundamental limitations on the speed of interconnects are the various scattering processes 3 4 occurring in low-dimensional systems. In order to fully utilize it in the integrated circuits c onsisting of GaAs-based high electron mobility transistors investigations of the scattering mechanism on an Al thin film grown on a GaAs substrate are necessary. One of the most important issues regarding the power dissipation and the speed of the device is the inelastic process such as electron-phonon scattering and electron-electron scattering. It is also important for the illustrations of quantum interference phenomena .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học