TAILIEUCHUNG - Mô phỏng strain nhiệt trong màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế AlN/α-Al2O3 sử dụng phương pháp phần tử hữu hạn

Strain nhiệt do sự khác nhau về thông số nhiệt giữa AlN và α-Al2O3 trong màng tinh thể AlN được chế tạo trên đế AlN/α-Al2O3 đã được mô phỏng bằng phương pháp phần tử hữu hạn sử dụng phần mềm ANSYS. | UED Journal of Sciences Humanities amp Education ISSN 1859 - 4603 TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC MÔ PHỎNG STRAIN NHIỆT TRONG MÀNG TINH THỂ AlN ĐƯỢC CHẾ TẠO TRÊN ĐẾ AlN α-Al2O3 SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP PHẦN TỬ HỮU HẠN Nhận bài 20 08 2016 Đinh Thành Khẩn Chấp nhận đăng 28 09 2016 Tóm tắt Strain nhiệt do sự khác nhau về thông số nhiệt giữa AlN và -Al2O3 trong màng tinh thể AlN http được chế tạo trên đế AlN -Al2O3 đã được mô phỏng bằng phương pháp phần tử hữu hạn sử dụng phần mềm ANSYS. Các kết quả mô phỏng chỉ ra rằng strain nhiệt được phân bố một cách tuần hoàn dọc theo hướng tinh thể 1120 của màng AlN tương ứng với sự tuần hoàn trong kết cấu được tạo rãnh của đế AlN -Al2O3. Strain nhiệt giảm đáng kể xung quanh các khoảng trống void được tạo ra bên trong màng tinh thể AlN do quá trình mọc ngang của tinh thể AlN trên đế AlN -Al2O3 được tạo rãnh. Các kết quả mô phỏng đã chỉ ra rằng việc sử dụng các đế được tạo rãnh đã làm giảm đáng kể strain nhiệt trong các màng tinh thể thông qua sự tạo thành của các void. Từ khóa strain nhiệt màng tinh thể AlN ANSYS phương pháp phần tử hữu hạn FEM. tinh thể AlN 10-12 . Tuy nhiên sự phân bố của strain 1. Giới thiệu trong các màng tinh thể AlN vẫn chưa được làm sáng Aluminum nitride AlN đã thu hút rất nhiều sự quan tỏ. Hơn nữa thông qua các phép đo thực nghiệm như tâm nghiên cứu trong các lĩnh vực đang phát triển như nhiễu xạ tia X và phổ tán xạ Raman chúng ta chỉ thu LED LASER các thiết bị điện tử tần số cao bởi vì các được strain do ảnh hưởng của tất cả các yếu tố như sự tính chất nổi trội của chúng như độ cứng và độ dẫn nhiệt không tương thích trong các thông số nhiệt và mạng cao khả năng chịu nhiệt cao AlN cũng có thể kết hợp Trong nghiên cứu này tác giả sử dụng phương pháp với GaN để tạo thành AlxGa1-xN sử dụng trong các thiết phần tử hữu hạn thông qua phần mềm ANSYS để mô bị quang điện có bước sóng ngắn hơn 1-4 . Do các phỏng sự phân bố của strain nhiệt trong màng tinh thể tinh thể AlN ở dạng khối không

• Hoá học
• Màng tinh thể AlN
• Phương pháp phần tử hữu hạn
• Hệ thống phân tích cấu trúc tĩnh
• Màng tinh thể
• Hằng số đàn hồi của AlN
• Báo cáo khoa học
• Đề tài khoa học và công nghệ
• Đề tài khoa học và công nghệ cấp đại học
• Phương pháp mọc ghép pha hơi hyđrua