TAILIEUCHUNG - Nghiên cứu độ linh động trong giếng lượng tử vuông góc bằng phương pháp pha tạp điều biến đối xứng hàm sóng

Bài viết trình bày nghiên cứu lý thuyết về ảnh hưởng của pha tạp điều biến đối xứng hàm sóng lên quá trình vận chuyển lượng tử trong giếng lượng tử vuông góc. Bằng việc sử dụng phương pháp biến phân, chúng tôi đã đưa ra biểu thức giải tích về sự phân bố của hạt tải và tán xạ của chúng trong giếng lượng tử vuông góc pha tạp chọn lọc đối xứng. | Nghiên cứu độ linh động trong giếng lượng tử vuông góc bằng phương pháp pha tạp điều biến đối xứng hàm sóng TẠP CHÍ KHOA HỌC TRƯỜNG ĐẠI HỌC HỒNG ĐỨC - SỐ 2. 2009 NGHIÊN CỨU ĐỘ LINH ĐỘNG TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ VUÔNG GÓC BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHA TẠP ĐIỀU BIẾN ĐỐI XỨNG HÀM SÓNG Trần Thị Hải1 Nguyễn Thị Dung1 Lương Thị Kim Phượng1 1 Khoa Kỹ thuật Công nghệ Trường đại học Hồng Đức TÓM TẮT Chúng tôi trình bày nghiên cứu lý thuyết về ảnh hưởng của pha tạp điều biến đối xứng hàm sóng lên quá trình vận chuyển lượng tử trong giếng lượng tử vuông góc. Bằng việc sử dụng phương pháp biến phân chúng tôi đã đưa ra biểu thức giải tích về sự phân bố của hạt tải và tán xạ của chúng trong giếng lượng tử vuông góc pha tạp chọn lọc đối xứng. Trong đó tán xạ gây bởi độ nhám bề mặt và thế biến dạng khớp sai là nhỏ hơn so với mô hình pha tạp chọn lọc bất đối xứng. Điều này chứng tỏ việc điều biến đối xứng hàm sóng là một phương pháp hiệu qủa để nâng cao độ linh động của hạt tải trong giếng lượng tử. Từ đó trạng thái tối ưu đối của độ dẫn điện được thiết lập. Lý thuyết của chúng tôi đã thành công trong việc giải thích các thí nghiệm gần đây về tính chất vận chuyển đặc biệt là sự phụ thuộc của độ linh động vào độ rộng kênh dẫn. 1. GIỚI THIỆU Các kênh dẫn với độ linh động cao là một trong những vấn đề thách thức của vật lý bán dẫn và có tầm quan trọng lớn đối với việc ứng dụng các thiết bị. Để nâng cao phẩm chất của các linh kiện không những phải tăng mật độ hạt tải mà còn phải tăng độ linh động của hạt tải. Độ linh động lớn cho phép chế tạo những linh kiện có khả năng điều khiển dòng cao và tốc độ đóng ngắt chuyển mạch nhanh. Như chúng ta đã biết để nâng cao độ linh động của hạt tải hai chiều trong giếng lượng tử người ta thường sử dụng phương pháp điều biến các nhân tố quyết định như cấu trúc điện tử các cơ chế tán xạ và các nguồn giam hãm hạt tải. Hiện nay có một vài phương pháp điều biến đã được đề xuất. Để điều biến các cấu trúc điện tử người ta có thể dùng các ứng suất và biến dạng trong .

• Vật lý
• Giếng lượng tử vuông góc
• Quá trình vận chuyển lượng tử
• Hàm sóng biến phân
• Cơ chế tán xạ
• Vật liệu SiGe
• Giếng lượng tử
• Thế vuông góc sâu vô hạn
• Công suất hấp thụ sóng điện từ
• Cộng hưởng từ phonon
• Độ rộng vạch phổ
• Luận văn Thạc sĩ
• Vật lý lý thuyết
• Vật lý toán
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Sự giam giữ phonon
• Cộng hưởng từ phonon
• Giếng lượng tử thế vuông góc sâu
• Phổ hấp thụ cộng hưởng của exciton
• Hình thức luận hàm sóng tái chuẩn hóa
• Tần số cộng hưởng của laser bơm
• Luận văn ngành vật lý kỹ thuật
• Vật lý kỹ thuật
• Cấu trúc dị chất si sige
• Phương pháp mô phỏng hai chiều
• Luận văn tiến sĩ
• Luận văn tiến sĩ Kỹ thuật
• Chế tạo nano tinh thể
• Tinh thể hợp kim SiGe
• Hệ vật liệu tinh thể Si và Ge
• Luận văn Thạc sĩ Vật lí
• Pin mặt trời thế hệ hai
• Đặc điểm cấu trúc chất bán dẫn
• Tính chất quang của màng mỏng SiGe
• Luận án tiến sĩ
• Luận án tiến sĩ Kỹ thuật
• Vật liệu kích thước nano
• Quá trình tái hợp bức xạ
• Chế tạo nano tinh thể hợp kim