TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Selective patterning of ZnO nanorods on silicon substrates using nanoimprint lithography"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Selective patterning of ZnO nanorods on silicon substrates using nanoimprint lithography | Jung and Lee Nanoscale Research Letters 2011 6 159 http content 6 1 159 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Selective patterning of ZnO nanorods on silicon substrates using nanoimprint lithography Mi-Hee Jung1 Hyoyoung Lee2 Abstract In this research nanoimprint lithography NIL was used for patterning crystalline zinc oxide ZnO nanorods on the silicon substrate. To fabricate nano-patterned ZnO nanorods patterning of an n-octadecyltrichlorosilane OTS selfassembled monolayers SAMs on SiO2 substrate was prepared by the polymer mask using NI. The ZnO seed layer was selectively coated only on the hydrophilic SiO2 surface not on the hydrophobic OTS SAMs surface. The substrate patterned with the ZnO seed layer was treated with the oxygen plasma to oxidize the silicon surface. It was found that the nucleation and initial growth of the crystalline ZnO were proceeded only on the ZnO seed layer not on the silicon oxide surface. ZnO photoluminescence spectra showed that ZnO nanorods grown from the seed layer treated with plasma showed lower intensity than those untreated with plasma at 378 nm but higher intensity at 605 nm. It is indicated that the seed layer treated with plasma produced ZnO nanorods that had a more oxygen vacancy than those grown from seed layer untreated with plasma. Since the oxygen vacancies on ZnO nanorods serve as strong binding sites for absorption of various organic and inorganic molecules. Consequently a nano-patterning of the crystalline ZnO nanorods grown from the seed layer treated with plasma may give the versatile applications for the electronics devices. Introduction Zinc oxide ZnO nanorods have been widely investigated in applications such as ultraviolet nanolaser sources gas sensors solar cells and field emission display devices because they have a direct band gap of eV and a large exciton binding energy of 60 meV. As various applications of nanostructured materials it is .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.