TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Nonlinear dynamics of non-equilibrium holes in p-type modulation-doped GaInNAs/GaAs quantum wells"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Nonlinear dynamics of non-equilibrium holes in p-type modulation-doped GaInNAs/GaAs quantum wells | Khalil et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 191 http content 6 1 191 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Nonlinear dynamics of non-equilibrium holes in p-type modulation-doped GaInNAs GaAs quantum wells Hagir Mohammed Khalil 1 Yun Sun1 Naci Balkan1 Andreas Amann2 Markku Sopanen3 Abstract Nonlinear charge transport parallel to the layers of p-modulation-doped GaInNAs GaAs quantum wells QWs is studied both theoretically and experimentally. Experimental results show that at low temperature T 13 K the presence of an applied electric field of about 6 kV cm leads to the heating of the high mobility holes in the GaInNAs QWs and their real-space transfer RST into the low-mobility GaAs barriers. This results in a negative differential mobility and self-generated oscillatory instabilities in the RST regime. We developed an analytical model based upon the coupled nonlinear dynamics of the real-space hole transfer and of the interface potential barrier controlled by space-charge in the doped GaAs layer. Our simulation results predict dc bias-dependent selfgenerated current oscillations with frequencies in the high microwave range. Introduction During the past decade dilute nitrides particularly the quaternary material system of GaInNAs GaAs have attracted a great deal of attention both because of unusual physical properties and potential applications for a variety of optoelectronic devices. The addition of a small amount of nitrogen induces a strong perturbation in the conduction band of matrix semiconductors while having a negligible effect on the valence band. As a result the electron mobility is greatly lowered and the hole mobility can become higher than the electron mobility in materials with relatively high nitrogen content. High hole mobility coupled with the low hole confinement energy 110 meV in our calculation for the samples investigated in this study 1 in the GaInNAs GaAs quantum well QW .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học