TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: "Valence band offset of InN/BaTiO3 heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Valence band offset of InN/BaTiO3 heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy | Jia et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 316 http content 6 1 316 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Valence band offset of InN BaTiO3 heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy Caihong Jia1 2 Yonghai Chen 1 Yan Guo1 Xianglin Liu1 Shaoyan Yang1 Weifeng Zhang2 and Zhanguo Wang1 Abstract X-ray photoelectron spectroscopy has been used to measure the valence band offset of the InN BaTiO3 heterojunction. It is found that a type-I band alignment forms at the interface. The valence band offset VBO and conduction band offset CBO are determined to be and eV respectively. The experimental VBO data is well consistent with the value that comes from transitivity rule. The accurate determination of VBO and CBO is important for use of semiconductor ferrroelectric heterojunction multifunctional devices. Introduction The semiconductor-ferroelectric heterostructures have attracted much attention due to their large potential for new multifunctional electronic and optoelectronic device applications 1-5 . Hysteresis properties of the ferroelectric polarization allow for bistable interface polarization configuration The polarization coupling between the fixed permanent semiconductor dipole and the switchable ferroelectric dipole can be exploited to modify the electronic and the optical properties of a semiconductor heterostructure. Recently GaN-based high electron mobility transistor devices have been integrated on ferroelectric LiNbO3 providing the compact optoelectro-nic electronic chips with increased cost savings and added functionality 6 . The semiconductor-ZnO ferro-electric-BaTiO3 BTO heterostructure metal-insulator-semiconductor field-effect transistors have been demonstrated in which the polarization of the BTO can be used to control the free carrier concentration in the ZnO channel 7 . In order to fully exploit the advantages of semiconductor-ferroelectric .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.