TAILIEUCHUNG - Bài giảng điện tử cơ bản - Chương 6

Cấu tạo, nguyên lí làm việc của transistor trường, đặc tuyến volt-ampere. - Ưu việt của FET so với BJT. - Biết sử dụng các loại FET trong các mạch điện tử chức năng. So sánh: BJT: 2 tiếp giáp p-n, 2 loại hạt dẫn đs và ts. FET:1 tiếp giáp p-n, 1 lọai hạt dẫn khiển bằng E. FET có các tính năng ưu việt hơn BJT: RV lớn, AV cao, ít tiêu thụ năng lượng, thích hợp cho công nghệ vi điện tử, công nghệ bán dẫn | Chương 6:TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET Mục tiêu thực hiện: - Cấu tạo, nguyên lí làm việc của transistor trường, đặc tuyến volt-ampere. - Ưu việt của FET so với BJT. - Biết sử dụng các loại FET trong các mạch điện tử chức năng. 1. Mở đầu So sánh: BJT: 2 tiếp giáp p-n, 2 loại hạt dẫn đs và ts. FET:1 tiếp giáp p-n, 1 lọai hạt dẫn khiển bằng E. FET có các tính năng ưu việt hơn BJT: RV lớn, AV cao, ít tiêu thụ năng lượng, thích hợp cho công nghệ vi điện tử, công nghệ bán dẫn . 2. Phân loại Transistor hiệu ứng trường FET gồm có 2 loại chính: - FET điều khiển bằng tiếp giáp p – n ( JFET = Junction Field Effect Transistor). - FET có cực cửa cách li ( IG-FET = Isolated Gate Field Effect Transistor) hay MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor FET). - MOSFET chia làm 2 loại: MOSFET kênh có sẵn (D – MOSFET = Depletion MOSFET). MOSFET kênh cảm ứng ( E – MOSFET = Enhancement MOSFET). 3. JFET Cấu tạo của JFET: JFET kênh n: 1 thỏi bán dẫn Si loại n hình trụ. Đáy trên - cực máng D (drain) Đáy dưới - cực nguồn S (source). Bao quanh là 1 lớp bán dẫn loại p - dùng làm - cực cửa G (gate). Phần thể tích còn lại của thỏi Si không bị vùng nghèo choán chỗ gọi là kênh dẫn. Ký hiệu của JFET kênh N và kênh P . Nguyên lý làm việc của JFET ED , tạo dòng ID chạy qua kênh dẫn. EG đặt VGS giữa cực G và cực S, làm cho p-n pcn, bề dày vùng nghèo tăng lên và tiết diện của kênh dẫn bị thu hẹp. Nếu giữ ED không đổi, khi tăng EG dòng ID giảm. Đặt giữa G và S 1tín hiệu xoay chiều eS. Dòng ID tạo một điện áp trên điện trở RD có cùng dạng với eS nhưng với biên độ lớn hơn, ta nói J-FET đã khuếch đại tín hiệu. . Đặc tuyến V-A (xét loại kênh n) VGS = 0 chia đặc tuyến thành 3 đoạn:Miền điện trở, miền thắt kênh, miền đánh thủng. VGS ≠ 0, tiếp giáp p-n pcn nhiều hơn, điện trở kênh dẫn tăng và dòng ID nhỏ hơn. VGS càng âm, ID càng giảm. - BJT : IC = f (IB) = IB - JFET: Công thức Shockley ID = IDSS ( 1 – VGS / VP)2 1. Điện trở vi phân lối ra (điện trở kênh dẫn) 2. Hỗ dẫn (độ dốc đặc tuyến truyền

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.