TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Buffer layer-assisted growth of Ge nanoclusters on Si"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Buffer layer-assisted growth of Ge nanoclusters on Si | Nanoscale Res Lett 2006 1 11-19 DOI s11671-006-9011-y NANO REVIEW Buffer layer-assisted growth of Ge nanoclusters on Si A. P. Li J. F. Wendelken Published online 26 July 2006 to the authors 2006 Abstract In the buffer layer-assisted growth method a condensed inert gas layer of xenon with low-surface free energy is used as a buffer to prevent direct interactions of deposited atoms with substrates. Because of an unusually wide applicability the buffer layer-assisted growth method has provided a unique avenue for creation of nanostructures that are otherwise impossible to grow and thus offered unprecedented opportunities for fundamental and applied research in nanoscale science and technology. In this article we review recent progress in the application of the buffer layer-assisted growth method to the fabrication of Ge nanoclusters on Si substrates. In particular we emphasize the novel configurations of the obtained Ge nanoclusters which are characterized by the absence of a wetting layer quasi-zero dimensionality with tunable sizes and high cluster density in comparison with Ge nanoclusters that are formed with standard Stranski-Krastanov growth methods. The optical emission behaviors are discussed in correlation with the morphological properties. Keywords Nanocluster Buffer layer-assisted growth BLAG Ge nanocluster Photoluminescence Semiconductor growth PACS Codes . w A. P. Li H J. F. Wendelken Center for Nanophase Materials Sciences and Materials Science and Technology Division Oak Ridge National Laboratory Oak Ridge TN 37831 USA e-mail apli@ Introduction Nanostructure self-assembly is currently a topic of considerable interest at both fundamental and applied levels. Semiconductor nanoclusters in which electrons are confined in all three dimensions show novel physical phenomena related to dimensionality such as an atom-like energy spectrum and quantum size effects. Among self-assembled semiconductor nanostructures Ge

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.