TAILIEUCHUNG - Crystalline Silicon Properties and Uses Part 10

Tham khảo tài liệu 'crystalline silicon properties and uses part 10', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 214 Crystalline Silicon - Properties and Uses lead to an increase in the red spectral region. The ultraviolet UV and violet V luminescence are detected in mostly all ion implanted samples at around 290 nm and 410 nm respectively indicating not only extrinsic related ODC or extrinsic defects but also ion implantation induced defects in the SiO2 matrix. As a surprising peculiarity the cathodoluminescence spectra of oxygen and sulfur implanted SiO2 layers show besides characteristic bands a sharp and intensive multimodal structure beginning in the green region at 500 nm over the yellow-red region and extending to the near IR measured up to 820 nm. The energy step differences of the sublevels amount to an average of 120 meV and indicate vibronic-electronic transitions probably of O 2 interstitial molecules as we could demonstrate by a respective configuration coordinate model. However such mysterious multimodal luminescence spectra are observed occasionally in other material compounds too and are many-fold in their interpretations by other authors ranging from photonic crystals and interference effects over discrete quantum dots and respective quantum confinement even to our model of interstitial molecules and their electronic-vibronic luminescent transitions. 7. References Anedda A. Carbonaro C. M. Serpi A. Chiodini N. Paleari A. Scotti R. Spinolo G. Brambilla G. and Pruneri V. Vacuum ultraviolet absorption spectrum of photorefractive Sn-doped silica fiber preforms J. Non-Cryst. Solids 280 2001 287. Anedda A. Carbonaro C. M. Clemente F. Corpino R. Grandi S. Mustarelli P. and Magistris A. OH-dependence of ultraviolet emission in porous silica J. Non-Cryst. Solids 322 2003b 68. Bailey R. C. Parpia M. Hupp J. T. Sensing via optical interference Materialstoday Vol 8 April 2005 46. Bakaleinikov L. A. Zamoryanskaya M. V. Kolesnikova E. V. Sokolov V. I. and Flegontova E. Yu. Silicon Dioxide Modification by an Electron Beam Physics of the Solid State 46 2004 1018. Bakos

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.