TAILIEUCHUNG - Flash Memories Part 14

Tham khảo tài liệu 'flash memories part 14', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Atomistic Simulations of Flash Memory Materials Based on Chalcogenide Glasses 249 Fig. 8. Electronic density of states of crystal models projected onto different species of atoms. Unrelaxed crystal model with vacancies top-panel . Relaxed crystal model bottom-panel . The Fermi level is at 0eV. Since the crystal model has 10 vacancies the relaxation actually introduced slight distortion into the network. The structural statistics indicate that the mean coordination of Te Ge and Sb atoms all decreased. The mean coordination of Te are decreased from to Sb and Ge dropped from 6 to and correspondingly. The angle distribution especially the X-Ge-X and X-Sb-X angle distributions are also changed. This result indicates that the existence of vacancies and the distortion happened to the network will have a impact on gap. Thus by controlling the concentration of vacancies and distortion we may obtained different electronic gap values. This result is similar to results on other Ge-Sb-Te alloys Wuttig et al. 2007 . Conclusions on Ge2Sb2Te5 We made Ge2Sb2Te5 models with a quench from melt method. HF calculations give a electronic gap for the amorphous phase. We found that Te-p Sb-p Ge-p Ge-s and Sb-s orbitals are most important to tail states. 6-fold octahedral Ge and 4-fold tetrahedral Ge give rise to similar gaps but 4-fold octahedral Ge results in a bigger gap with both shifted valence-band and conduction-band tails. The study also reveals a large fluctuation in gap value during thermal equilibration which is partially due to the appearance and disappearance of conduction-band and valence-band tail states. Such fluctuations could be 250 Flash Memories Fig. 9. Change of LUMO HOMO level gap value and total energy during relaxation. associated with the local structural change distortion of Ge atoms which introduce localized tail states and have an impact on the electronic gap. Also the relaxation analysis on crystal phase of Ge2Sb2Te5 indicates .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.