TAILIEUCHUNG - Flash Memories Part 11

Tham khảo tài liệu 'flash memories part 11', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Source and Drain Junction Engineering for Enhanced Non-Volatile Memory Performance 189 8 6 p 0 2 OT Q Ề 0 10-9 10-8 10-7 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 Program time tpGM sec Erase time tERs sec a b Fig. 3-12. Program a and erase b transient characteristics with various program voltages. Excellent program efficiency compared to the control group is achieved due to hot electrons energized by sharp band bending at the S D. Choi et al. 2009c The tunneling oxide of conventional devices may be non-uniform due to the non-uniform etching profile of the narrow silicon channel therefore the tunneling probability of electrons at the channel fluctuates significantly in conventional devices. However for the case of DSSB devices the trapped electrons are mainly located at the edges of the S D junction. Therefore a more parallel VT shift can be achieved in the DSSB device. As shown in Fig. 313 a parallel shift among programmed states was found in the DSSB device but not in the conventional device. This implies that two-sided charge injection at the S D prevails in the DSSB FinFET SONOS device. Note on the other hand that an unwanted non-uniform charge injection by FN tunneling occurs in the conventional FinFET SONOS device resulting in an oblique shift and degradation of the slope. 10-4 _ 10-5 -I n-6 L r A 10 r Fresh ị 4 ra Q10- 10-11 10-12 10-8 Ị 10-9 r -10 -1 01234567 Gate voltage VG V Fig. 3-13. Comparison of the Id-Vg shift among various programmed states. A two-sided injected charge produces a parallel shift of I-V. Choi et al. 2008 u The retention characteristics after 1k cycling and P E cycling endurance of the DSSB FinFET SONOS were compared to the control group a conventional FinFET SONOS and the results are presented in Figs. 3-14 a and 3-14 b respectively. These characteristics were measured at room temperature. Fig. 3-14 a shows that a rapid degradation of the retention characteristics was monitored during longer programming time. Under this condition the 190 Flash .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.