TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Size-dependent Fano Interaction in the Laser-etched Silicon Nanostructures"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Size-dependent Fano Interaction in the Laser-etched Silicon Nanostructures | Nanoscale Res Lett 2008 3 105-108 DOI s11671-008-9120-x NANO EXPRESS Size-dependent Fano Interaction in the Laser-etched Silicon Nanostructures Rajesh Kumar A. K. Shukla H. S. Mavi V. D. Vankar Received 13 November 2007 Accepted 14 February 2008 Published online 4 March 2008 to the authors 2008 Abstract Photo-excitation and size-dependent Raman scattering studies on the silicon Si nanostructures NSs prepared by laser-induced etching are presented here. Asymmetric and red-shifted Raman line-shapes are observed due to photo-excited Fano interaction in the quantum confined nanoparticles. The Fano interaction is observed between photo-excited electronic transitions and discrete phonons in Si NSs. Photo-excited Fano studies on different Si NSs show that the Fano interaction is high for smaller size of Si NSs. Higher Fano interaction for smaller Si NSs is attributed to the enhanced interference between photo-excited electronic Raman scattering and phonon Raman scattering. Keywords Fano interference Silicon nanostructures Raman spectra Introduction Raman scattering from the silicon Si nanostructures NSs has been extensively studied in recent years 1-4 . Observed Raman line-shapes from the Si NSs are asymmetrically broadened and red-shifted from its counterpart for the bulk Si. Most authors have fitted the first-order experimental Raman band to an asymmetrical line-shape first proposed by Richter et al. 5 and then modified by Campbell et al. 6 . In this model the asymmetry and red-shift in the Raman peak have been attributed to the confinement of phonons in the Si NSs. R. Kumar A. K. Shukla El H. S. Mavi V. D. Vankar Department of Physics Indian Institute of Technology Hauz Khas New Delhi 110016 India e-mail akshukla@ Many others 3 4 have explained the asymmetry and downshift in the Raman line-shape in terms of a combined effect of quantum confinement and laser heating. Magidson and Beserman 7 have observed the Fano interference 8 9 between .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.