TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Stable White Light Electroluminescence from Highly Flexible Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Heterojunction Grown at 50°C"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Stable White Light Electroluminescence from Highly Flexible Polymer/ZnO Nanorods Hybrid Heterojunction Grown at 50°C | Nanoscale Res Lett 2010 5 1442-1448 DOI s11671-010-9659-1 NANO EXPRESS Stable White Light Electroluminescence from Highly Flexible Polymer ZnO Nanorods Hybrid Heterojunction Grown at 50OC A. Zainelabdin S. Zaman G. Amin O. Nur M. Willander Received 7 April 2010 Accepted 24 May 2010 Published online 4 June 2010 The Author s 2010. This article is published with open access at Abstract Stable intrinsic white light-emitting diodes were fabricated from c-axially oriented ZnO nanorods NRs grown at 50 C via the chemical bath deposition on top of a multi-layered poly 9 9-dioctylfluorene-co-N- 4-butylpheneylamine diphenylamine poly 9 9dioctyl-fluorene deposited on PEDOT PSS on highly flexible plastic substrate. The low growth temperature enables the use of a variety of flexible plastic substrates. The fabricated flexible white light-emitting diode FWLED demonstrated good electrical properties and a single broad white emission peak extending from 420 nm and up to 800 nm combining the blue light emission of the polyflourene PFO polymer layer with the deep level emission DLEs of ZnO NRs. The influence of the temperature variations on the FWLED white emissions characteristics was studied and the devices exhibited high operation stability. Our results are promising for the development of white lighting sources using existing lighting glass bulbs tubes and armature technologies. Keywords Hybrid technology ZnO nanorods Polymers Large area lighting Flexible low temperature LEDs A. Zainelabdin S. Zaman G. Amin O. Nur M. Willander Department of Science and Technology Linkoping University 601 74 Norrkoping Sweden e-mail ahmza@ S. Zaman e-mail saiza@ Introduction Zinc oxide ZnO is a II-VI semiconductor material with a wide bandgap of about eV together with a high exciton binding energy of 60 meV both at room temperature rendering ZnO to receive global attention especially in connection with the emerging nanotechnology paces toward .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.