TAILIEUCHUNG - Features of Liquid Crystal Display Materials and Processes Part 3

Tham khảo tài liệu 'features of liquid crystal display materials and processes part 3', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Transparent ZnO Electrode for Liquid Crystal Displays 29 Resistance of transparent conductive ZnO film The resistivity of the film is one of the most important characteristics required for application of alternative transparent electrodes to ITO used in LCDs. The resistivity of ITO transparent films is in the range of pQm Wakeham et al. 2009 Shin et al. 1999 . Therefore transparent conductive ZnO films as an alternative must have a resistivity of less than ca. pQm. In the case of thin films the resistivity is generally derived from the carrier-flow in the plane of the films. The resistivities of even metal films increase with the decrease in film thickness especially less than ca. 100 nm. Such a phenomenon is caused by the increase in the frequency of collisions or scattering with the carrier-flow and the film surface the interface with the substrate and irregular crystalline structures in the region of the substrate. The resistivity of the GZO film also shows a similar dependency on the film thickness as shown in Fig. 5 a . Fig. 5. Electrical characteristics of GZO film as a function of the film thickness. As the film thickness decreases the carrier mobility and concentration in the film decreases as shown in Figs. 5 b and c . The data in Fig. 5 was obtained from GZO films prepared using RPD at 180 C. The electrical characteristics of transparent conductive ZnO films formed by the magnetron sputtering showed similar dependencies on the film thickness although the values were significantly affected by the formation conditions . type of dopant and its concentration the deposition equipment temperature pressure and the electrical power supplied to the source during deposition. Figure 6 shows a comparison of the resistivities of GZO and AZO films formed with an Ar sputtering pressure of Pa at room temperature or at 180 C using the conventional planar magnetron sputtering system. The ZnO sputtering target materials for the deposition of GZO or .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.