TAILIEUCHUNG - Physics of Magnetism Magnetic Materials 2011 Part 9

Tham khảo tài liệu 'physics of magnetism magnetic materials 2011 part 9', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 134 CHAPTER 13. HIGH-DENSITY RECORDING MATERIALS Gambino et al. 1973 is the most prominent one and will be discussed briefly. Gambino and co-workers conclude that short-range ordering of the atoms is the main source of anisotropy in sputtered Gd-Co films. These authors also provide a clue as to which type of short-range ordering causes the anisotropy. On the basis of studies on hep-cobalt they conclude that the easy magnetization direction most likely is due to the presence of Co-Co atom pairs having their pair axes perpendicular to this direction the magnitude of the anisotropy energy being of the order of 10-22-10 23 J per pair. In order to understand the formation of such pair-atoms during vapor deposition one has to consider the following. During the deposition process the ad-atom impinges on the film surface with considerable energy. After impingement it rapidly loses this energy to the substrate and the main body of the film. If the substrate temperature is sufficiently high the ad-atom will be able to move by means of surface diffusion to favorable sites of relatively low energy so as to produce eventually a crystalline film. Low substrate temperatures and high evaporation rates do not favor such rearrangements of the ad-atoms and then may lead to amorphous films. In the intermediate case the ad-atom may still have the opportunity to jump to any of its nearest-neighbor surface sites the jump probability being proportional to the corresponding activation energy. Differences in activation energy for jumps between the initial site and the nearest-neighbor surface site can have chemical geometrical and magnetic origins. This difference in activation energy for atomic jumps can be exploited for the generation of a higher concentration of Co pairs with their axes in the film plane than would correspond to a statistical distribution. Use is made of so-called bias sputtering leading to conditions where an ad-atom bonded to a similar surface atom has a higher .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.