TAILIEUCHUNG - Hấp thụ phi tuyến hai photon trong MoS2 đơn lớp dưới ảnh hưởng của tương tác electron-phonon âm dọc-áp điện

Trong bài báo này, tác giả nghiên cứu chi tiết quá trình hấp thụ phi tuyến hai photon trong MoS2 đơn lớp do tương tác electron-LA-PE phonon đối với trường hợp spin hướng xuống. | HẤP THỤ PHI TUYẾN HAI PHOTON TRONG MoS2 đơn lớp DƯỚI ẢNH HƯỞNG CỦA TƯƠNG TÁC ELECTRON-PHONON ÂM DỌC-ÁP ĐIỆN LÊ ĐÌNH 1 , TRẦN NGỌC BÍCH 2 , HUỲNH VĨNH PHÚC 3 1 Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế, Email: dinhle52@ 2 Trường Đại học Quảng Bình, Email: tranngocbichdhqb@ 3 Trường Đại học Đồng Tháp, Email: huynhvinhphuc2710@ Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi khảo sát sự hấp thụ phi tuyến hai photon trong molybdenum disulfide (MoS2 ) đơn lớp khi xét đến tương tác electron-phonon âm dọc (longitudinal acousticLA) liên kết áp điện (piezoelectric coupling-PE). Sử dụng phương pháp nhiễu loạn chúng tôi thu được được biểu thức của hệ số hấp thụ quang từ (MOAC), từ đó sử dụng phương pháp profile thu được độ rộng vạch phổ (full width at half maximum-FWHM). Kết quả cho thấy rằng MOAC và FWHM phụ thuộc mạnh vào từ trường và nhiệt độ, cả MOAC và FWHM đều tăng theo từ trường và nhiệt độ đối với cả hai trường hợp hấp thụ một và hai photon. Kết quả được so sánh với trường hợp tương tác electron-phonon ngang áp điện. Từ khóa: MoS2 đơn lớp, hệ số hấp thụ quang từ, độ rộng vạch phổ. 1 GIỚI THIỆU Các vật liệu mỏng hai chiều (2D), một trong những loại vật liệu mới được khám phá gần đây, có nhiều hứa hẹn cho việc áp dụng trong các dụng cụ quang điện tử chất lượng cao [1]. Một trong số những vật liệu 2D được chế tạo gần đây là loại vật liệu 2D đơn lớp có dạng MX2 với M = Mo, W, Nb, Ta, Ti, và X = S, Se, Te. Các loại vật liệu 2D này được có cấu trúc đa lớp dạng X-M-X, trong đó các nguyên tử thuộc nhóm chalcogen nằm trong các mặt phẳng lục giác được ngăn cách bởi các mặt phẳng tạo nên bởi các nguyên tử kim loại [2, 3]. Các cấu trúc thuộc dạng di-chalcogen kim loại chuyển tiếp (transition metal dichalcogenides-TMDCs) có độ Tạp chí Khoa học và Giáo dục, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế ISSN 1859-1612, Số 01(45)/2018: tr. 85-92 Ngày nhận bài: 13/01/2018; Hoàn thành phản biện:02/02/2018; Ngày nhận đăng: 28/02/2018 86 LÊ ĐÌNH và cs. rộng vùng cấm khá lớn. Độ .

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.