TAILIEUCHUNG - Hệ số hấp thụ sóng điện từ trong MoS2 đơn lớp dưới ảnh hưởng của tương tác điện tử - tạp chất

Bài viết tiến hành khảo sát sự hấp thụ sóng điện từ trong MoS2 đơn lớp đặt trong từ trường tĩnh vuông góc. Hệ số hấp thụ sóng điện từ được tính toán bằng lý thuyết nhiễu loạn khi xét đến sự tán xạ điện tử - tạp chất. | H SÈ H P THÖ SÂNG I N TØ TRONG MoS2 ÌN LÎP D ÎI NH H ÐNG CÕA T ÌNG T C I N TÛ T P CH T PH M PHÓ ÙC 1 NGUY N NGÅC HI U 2 L THÀ THU PH ÌNG 3 1 Håc vi n Cao håc Tr íng i håc S ph m i håc Hu 2 Vi n Nghi n cùu v Ph t triºn cæng ngh cao Tr íng i håc Duy T n N ng 3 Trung t m VLLT v VLTT Tr íng i håc S ph m i håc Hu Email lethithuphuong@ Tâm t t Trong cæng tr nh n y chóng tæi kh o s t sü h p thö sâng i n tø trong MoS2 ìn lîp t trong tø tr íng t nh vuæng gâc. H sè h p thö sâng i n tø ñc t nh to n b ng lþ thuy t nhi u lo n khi x t n sü t n x i n tû t p ch t. Phê h p thö cho th y sü xu t hi n c c nh cëng h ðng cyclotron-t p ch t èi vîi qu tr nh h p thö mët v hai photon. Và tr c c nh cëng h ðng n ng l ñng photon cëng h ðng t l vîi c íng ë tø tr íng B trong khi â nhi t ë khæng nh h ðng n và tr c c nh cëng h ðng. Ngo i ra ë rëng v ch phê cõa c c nh cëng h ðng t ng tuy n t nh theo tø tr íng nh ng h u nh khæng thay êi theo nhi t ë. âng gâp cõa c c qu tr nh h p thö hai photon l nhä hìn nhi u so vîi qu tr nh h p thö mët photon nh ng l ng kº v c n ph i ñc t nh n khi nghi n cùu c c qu tr nh quang phi tuy n. Tø khâa h sè h p thö cëng h ðng cyclotron t n x i n tû t p ch t. 1. MÐ U Graphene l vªt li u hai chi u ìn lîp nguy n tû u ti n ñc ch t o th nh cæng vîi c c t nh ch t vªt lþ nêi trëi v ti m n ng ùng döng to lîn m c c vªt li u truy n thèng khæng câ 1 . Tuy nhi n sü khuy t thi u vòng c m trong graphene l m giîi h n kh n ng ùng döng cõa nâ trong c c thi t bà i n tû logic. i u n y thóc y c c nh khoa håc nghi n cùu v ch t o c c vªt li u hai chi u ìn lîp kh c vîi mët sè c t nh t ìng tü graphene nh ng câ vòng c m húu h n. C c c u tróc ìn lîp dichalcogenide kim lo i chuyºn ti p TMDs vîi cæng thùc chung l MX2 M l kim lo i chuyºn ti p thuëc c c nhâm tø IV tîi VI X l nguy n tè chalcogen nh S Se Te l mët trong sè c c vªt li u ìn lîp t ìng tü graphene ñc quan t m nghi n cùu m nh m . Trong sè n y MoS2 ìn lîp l vªt li u ti u biºu ñc ch t o th nh cæng u ti n vîi nhi u t nh ch t vªt .

• Vật lý
• Hệ số hấp thụ sóng điện từ
• Hấp thụ sóng điện từ
• Sóng điện từ trong MoS2 đơn lớp
• Ảnh hưởng của tương tác điện tử
• Tán xạ điện tử tạp chất
• Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu
• Chế tạo vật liệu hấp thụ sóng vi ba
• Vật liệu điện môi
• Hệ hạt nano điện môi
• Vật liệu hấp thụ sóng vi ba
• Hạt nano kim loại Fe
• Hố lượng tử
• Lý thuyết lượng tử
• Hệ số hấp thụ phi tuyến
• Sóng điện từ
• Luận văn thạc sĩ khoa học
• Tần số sóng điện từ
• Chấm lượng tử
• Phương trình Liouville lượng tử
• Phản ứng tuyến tính
• Công thức Kubo Mori
• Dây lượng tử
• Hấp thụ phi tuyến
• Điện tử
• Tán xạ điện tử phonon âm
• Phương trình động lượng tử
• Tương tác electron phonon
• Biểu thức giải tích
• Luận văn Thạc sĩ
• Vật lý lý thuyết
• Vật lý toán
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Sự giam giữ phonon
• Hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ
• Dây lượng tử hình chữ nhật