TAILIEUCHUNG - Luận văn Thạc sĩ Khoa học: Hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử

Bài luận văn gồm phần mở đầu, kết luận, danh mục tài liệu tham khảo, phụ lục, và ba chương chính sau: Chương 1 - Tổng quan về hố lượng tử và lý thuyết lượng tử về hấp thụ sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử tự do trong bán dẫn khối, Chương 2 - Hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ mạnh biến điệu theo biên độ bởi điện tử giam cầm trong hố lượng tử, Chương 3 - Tính toán số, vẽ đồ thị trong trường hợp hố lượng tử AlAs/GaAs/AlAs và bàn luận. | ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊN ------------boUoố- ĐỖ TUẤN LONG HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG HỐ LƯỢNG TỬ LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC Hà Nội - 2012 EJ ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC Tự NHIÊN ------------boAoố--- ĐỖ TUẤN LONG HẤP THỤ PHI TUYẾN SÓNG ĐIỆN TỪ MẠNH BIẾN ĐIỆU THEO BIÊN ĐỘ BỞI ĐIỆN TỬ GIAM CẦM TRONG HỐ LƯỢNG TỬ LUẬN VÃN THẠC SĨ KHOA HỌC Chuyên ngành Vật lý lý thuyết vật lý toán Mã số 60 44 01 NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC NGUYỄN QUANG BÁU Hà Nội - 2012 LỜI CẢM ƠN Em xin được gửi lời cảm ơn sâu sắc và lòng biết ơn chân thành tới GS. TS Nguyễn Quang Báu. Cảm ơn thầy đã hướng dẫn chỉ bảo và giúp đỡ tận tình trong suốt quá trình em thực hiện luận văn này. Em cũng xin gửi lời cảm ơn đến các thầy cô giáo trong khoa Vật lý bộ môn Vật lý lý thuyết cũng như các thầy cô trường Đại học Khoa Học Tự Nhiên - Đại học Quốc Gia Hà Nội đã hết lòng đào tạo dạy dỗ giúp đỡ em trong suốt thời gian em học tập tại trường. Em cũng xin cảm ơn gia đình người thân bạn bè đã luôn động viên quan tâm ủng hộ và tạo điều kiện giúp em hoàn thành luận văn này. Hà Nội tháng 11 năm 2012 Học viên Đỗ Tuấn .

• Thạc sĩ - Tiến sĩ - Cao học
• Hố lượng tử
• Lý thuyết lượng tử
• Hệ số hấp thụ phi tuyến
• Sóng điện từ
• Luận văn thạc sĩ khoa học
• Tần số sóng điện từ
• Tóm tắt luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ
• Vật lí lí thuyết
• Hiệu ứng Hall trong hố lượng tử
• Hiệu ứng Hall
• Dây lượng tử
• Hố thế hình chữ nhật cao vô hạn
• Nghiên cứu cộng hưởng
• Cộng hưởng Cyclotron trong hố lượng tử
• Kỹ thuật chiếu cô lập
• Công suất hấp thụ cộng hưởng
• Luận văn Thạc sĩ
• Hiệu ứng hấp thụ quang
• Hấp thụ hai photon
• Hố lượng tử bán dẫn parapol
• Hiệu ứng radio điện
• Vật liệu bán dẫn
• Hiệu ứng âm điện từ
• Phương trình động lượng tử
• Tán xạ điện tử
• Lượng tử phonon
• Vật lý lý thuyết
• Vật lý toán
• Trường bức xạ laser
• Sóng điện tử yếu
• Hiệu ứng âm điện lượng tử phi tuyến
• Dây lượng tử hình trụ
• Hố thế cao vô hạn
• Vật lý bán dẫn
• Vật lý bán dẫn cấu trúc nano
• Vật lý bán dẫn thấp chiều
• Dây lượng tử hình chữ nhật
• Bán dẫn cấu trúc nano
• Hiệu ứng quang kích thích Ettingshausen
• Hiệu ứng âm điện – từ
• Bán dẫn khối
• Bán dẫn thấp chiều
• Siêu mạng bán dẫn
• Gia tăng phonon
• Sóng laser
• Xung đột năng lượng
• Phương trình động học lượng tử
• Bức xạ laser
• Sóng điện từ yếu
• Sóng điện từ mạnh
• Hiệu ứng giam cầm của phonon
• Phonon giam cầm
• Hiệu ứng radio – điện
• Cơ chế tán xạ điện tử phonon âm
• Điện tử dẫn
• Phonon âm giam cầm
• Tính chất hấp thụ quang từ
• Hố lượng tử kiểu Poschl Teller
• Vật liệu GaAs
• Vật liệu GaSb
• Năng lượng photon
• Hố thế vô hạn
• Phương truyền sóng âm
• Hệ điện tử sóng âm ngoài
• Hiệu ứng âm – điện
• Hố thế hình chữ nhật
• Dây lượng tử GaAs/GaAsAl
• Hấp thụ phi tuyến
• Điện tử
• Tán xạ điện tử phonon âm
• Thuyết lượng tử
• Hiệu ứng âm
• Sóng De Broglie
• Hiệu ứng âm điện