TAILIEUCHUNG - INTRODUCTION TO ELECTRONIC ENGINEERING- P4

Tham khảo tài liệu 'introduction to electronic engineering- p4', công nghệ thông tin, phần cứng phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Introduction to Electronic Engineering Semiconductor Devices When it is non-conducting the thyristor operates on the lower line in the forward blocking state off state with a small leakage current. The thyristor is in off state until no current flows in the gate. The short firing pulse below the breakover voltage from the gate driver triggers the thyristor. This current pulse may be of triangle rectangle saw-tooth or trapezoidal shape. When a thyristor is supplied by ac the moment of a thyristor firing should be adjusted by shifting the control pulse relative to the starting point of the positive alternation of anode voltage. This delay is called a control angle or firing angle a. In dc circuits the use of thyristors is complicated due to their turning on off. After the pulse of the gate driver is given the thyristor breaks over and switches along the dashed line to the conducting region. The dashed line in this graph indicates an unstable or temporary condition. The device can have current and voltage values on this line only briefly as it switches between the two stable operating regions. Once turned to the on state and the current higher than the holding current the thyristor remains in this state after the end of the gate pulse. When the thyristor is conducting it is operating on the upper line. The current up to thousands of amperes flows from the anode to the cathode and a small voltage drop 1 to 2 V exists between them. If the current tries to decrease to less than the holding border the device switches back to the nonconducting region. Turning off by gate pulse is impossible. Thyristor turns off when the anode current drops under the value of the holding current. Input characteristics. Fig. illustrates the input characteristics of the thyristor. The curves show the relation between the gate current and the gate voltage. This relation has a broad coherence area with a width that depends on the temperature and design properties of the device. Fig. .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.