TAILIEUCHUNG - CMOS VLSI Design - Lecture 4: Nonideal Transistor Theory

Nonideal Transistor Behavior – High Field Effects • Mobility Degradation • Velocity Saturation – Channel Length Modulation – Threshold Voltage Effects • Body Effect • Drain-Induced Barrier Lowering • Short Channel Effect – Leakage • Subthreshold Leakage • Gate Leakage • Junction Leakage Process and Environmental Variations .Ideal Transistor I-V Shockley long-channel transistor models | Lecture 4 Nonideal Transistor Theory Outline Nonideal Transistor Behavior - High Field Effects Mobility Degradation Velocity Saturation - Channel Length Modulation - Threshold Voltage Effects Body Effect Drain-Induced Barrier Lowering Short Channel Effect - Leakage Subthreshold Leakage Gate Leakage Junction Leakage Process and Environmental Variations 4 Nonideal Transistor Theory CMOS VLSI Design 4th Ed- 2 Ideal Transistor I-V Shockley long-channel transistor models Vds Vdsat 0 1 ds cutoff linear f Vs- V 2 Yds Vdsat saturation 4 Nonideal Transistor Theory CMOS VLSI Design 4th Ed

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.