TAILIEUCHUNG - CMOS VLSI Design - Lecture 3: CMOS Transistor Theory

So far, we have treated transistors as ideal switches An ON transistor passes a finite amount of current – Depends on terminal voltages – Derive current-voltage (I-V) relationships Transistor gate, source, drain all have capacitance – I = C (∆V/∆t) - ∆t = (C/I) ∆V – Capacitance and current determine speed .MOS Capacitor Gate and body form MOS capacitor V Vt + inversion region depletion region .Terminal Voltages Vg Mode of operation depends on Vg, Vd, Vs + + – Vgs = Vg – Vs Vgs Vgd – Vgd = Vg – Vd Vs Vd – Vds = Vd – Vs. | Lecture 3 CMOS Transistor Theory Outline Introduction MOS Capacitor nMOS I-V Characteristics pMOS I-V Characteristics Gate and Diffusion Capacitance 3 CMOS Transistor Theory CMOS VLSI Design 4th Ed- 2 Introduction So far we have treated transistors as ideal switches An ON transistor passes a finite amount of current - Depends on terminal voltages - Derive current-voltage I-V relationships Transistor gate source drain all have capacitance - I C AVAt - At C I AV - Capacitance and current determine speed --- --- 4----- -------c ---c --- 3 CMOS Transistor Theory CMOS VLSI Design 4th Ed-

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.