TAILIEUCHUNG - Chapter 5: Bipolar Junction Transistors

Chapter 5: Bipolar Junction Transistor's Goals is Explore the physical structure of bipolar transistor, Study terminal characteristics of BJT, Explore differences between npn and pnp transistors, Develop the Transport Model for bipolar devices. | Chapter 5 Bipolar Junction Transistors Chapter Goals Explore the physical structure of bipolar transistor Study terminal characteristics of BJT. Explore differences between npn and pnp transistors. Develop the Transport Model for bipolar devices. Define four operation regions of the BJT. Explore model simplifications for the forward active region. Understand the origin and modeling of the Early effect. Present a PSPICE model for the bipolar transistor. Discuss bipolar current sources and the current mirror. Physical Structure The BJT consists of 3 alternating layers of n- and p-type semiconductor called emitter (E), base (B) and collector (C). The majority of current enters collector, crosses the base region and exits through the emitter. A small current also enters the base terminal, crosses the base-emitter junction and exits through the emitter. Carrier transport in the active base region directly beneath the heavily doped (n+) emitter dominates the i-v characteristics of the BJT.

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.