TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Properties of silicon dioxide layers with embedded metal nanocrystals produced by oxidation of Si:Me mixture"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Properties of silicon dioxide layers with embedded metal nanocrystals produced by oxidation of Si:Me mixture | Novikau et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 148 http content 6 1 148 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Properties of silicon dioxide layers with embedded metal nanocrystals produced by oxidation of Si Me mixture Andrei Novikau1 Peter Gaiduk1 Ksenia Maksimova2 Andrei Zenkevich2 Abstract A two-dimensional layers of metal Me nanocrystals embedded in SiO2 were produced by pulsed laser deposition of uniformly mixed Si Me film followed by its furnace oxidation and rapid thermal annealing. The kinetics of the film oxidation and the structural properties of the prepared samples were investigated by Rutherford backscattering spectrometry and transmission electron microscopy respectively. The electrical properties of the selected SiO2 Me nanocomposite films were evaluated by measuring C-V and I-V characteristics on a metal-oxide-semiconductor stack. It is found that Me segregation induced by Si Me mixture oxidation results in the formation of a high density of Me and silicide nanocrystals in thin film SiO2 matrix. Strong evidence of oxidation temperature as well as impurity type effect on the charge storage in crystalline Me-nanodot layer is demonstrated by the hysteresis behavior of the high-frequency C-V curves. Introduction During the last decade much attention has been focused on the investigation of semiconductor and metallic nanocrystals NCs or nanoclusters embedded in dielectric matrices. The interest is motivated by possible applications of such nanocomposite structures. Particularly semiconductor or metal NCs embedded in SiO2 dielectric layer of a metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor may replace SiNx floating gate in conventional Flash memory devices allowing for thinner injection oxides and subsequently smaller operating voltages longer retention time and faster write erase speeds 1-3 . The performance of such memory structure strongly depends on the characteristics of the NCs .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học