TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: "Nanoscale structural characterization of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001)"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Nanoscale structural characterization of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC (0001) | Vecchio et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 269 http content 6 1 269 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Nanoscale structural characterization of epitaxial graphene grown on off-axis 4H-SiC 0001 12 12 1 3 4 1 Carmelo Vecchio Sushant Sonde Corrado Bongiorno Martin Rambach Rositza Yakimova Vito Raineri and Filippo Giannazzo1 Abstract In this work we present a nanometer resolution structural characterization of epitaxial graphene EG layers grown on 4H-SiC 0001 8 off-axis by annealing in inert gas ambient Ar in a wide temperature range Tgr from 1600 to 2000 C . For all the considered growth temperatures few layers of graphene FLG conformally covering the 100 to 200-nm wide terraces of the SiC surface have been observed by high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy HR-XTEM . Tapping mode atomic force microscopy t-AFM showed the formation of wrinkles with approx. 1 to 2 nm height and 10 to 20 nm width in the FLG film as a result of the release of the compressive strain which builds up in FLG during the sample cooling due to the thermal expansion coefficients mismatch between graphene and SiC. While for EG grown on on-axis 4H-SiC an isotropic mesh-like network of wrinkles interconnected into nodes is commonly reported in the present case of a vicinal SiC surface wrinkles are preferentially oriented in the direction perpendicular to the step edges of the SiC terraces. For each Tgr the number of graphene layers was determined on very small sample areas by HR-XTEM and with high statistics and on several sample positions by measuring the depth of selectively etched trenches in FLG by t-AFM. Both the density of wrinkles and the number of graphene layers are found to increase almost linearly as a function of the growth temperature in the considered temperature range. Introduction Graphene has attracted the interest of the scientific community due to its excellent electronic transport .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.