TAILIEUCHUNG - Giáo trình kỹ thuật số part 10

Tham khảo tài liệu 'giáo trình kỹ thuật số part 10', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Hình giới thiêu SRAM 2114-2 INTEL dung lượng 1024 tù X 4bit tốc độ thâm nhập 200ns công suất 525mW. 5V 18 17 16 15 14 13 12 11 10 i 11 iff fn Vcc A7 A A I O I O I O 1 0 WE SRAM 2114 A6 Áề A a Ao a A2 CSGND I ị Ị 1 2 3456789 Hình a Sa đồ logic b Bổ trí chân c Bàng chế độ cửa SRAM 2114 Hình giới thiêu bố trí chân và bảng chân lý của SRAM CMOS HM 6116 tốc độ nhanh 2048 từ X 8bit. Thời gian thâm nhập 120ns P chờ 100pW P hoạt động 180mW. 5V 23 21 19 17 15 13 24Ĩ T T T T T T T T T T T vcc Ae OEA CS D D7 D Ds D SRAM HM6116 A7 A A5 A Aj Aj A A D Dj Ọj gnc CS OE WE Chế đỏ I O 1 X X Không chọri Hi-Z 0 0 1 Đọc D ra 0 1 0 Ghi D vào 0 0 0 Ghi D vào 1 3 5 7 9 11 12 a b Hình . a Bố trí chân SRAM HM 6116 b Bảng chân lý của HM 6116. 234 . Bộ nhớ RAM động DRAM dùng CMOS 1. Với trở kháng đầu vào cùa MOS rất lớn cố thể chế tạo loại ô nhớ sử dụng sự có mặt hay không cùa các điện tích trên cực cửa của MOSFET để lưu giữ thông tin trong một khoảng thời gian nhất định bộ nhớ với các ô nhớ dạng này gọi là RAM động hay DRAM. Hình mô tả 1 đơn vị nhớ ô nhớ 1 bit của DRAM dùng MOSFET sử dụng tụ diện ccs của T hoặc T2 để nhớ điện tích dữ liêu . Với cách nhớ dùng tụ điện theo thời gian bộ nhớ này có xu hướng mất thông tin Hlnh . cáu trúc ô nhớ cơ bản DRAM b phân biột với 1 ô nhớ SRAM a do dòng điện dò của tụ gây ra và vì thế theo định kỳ phải nạp lại cho CGS làm tươi bộ nhớ để tránh làm mất chống xu hướng quên thông tin đã lưu. Hình thổ hiện 2 ô nhớ của SRAM a và DRAM b . Ở ô nhớ tĩnh các tranzitor Tj và Tị được nối qua Rị và R2 hay T3 và T4 tới nguồn G zLớp bọc thủy tĩnh SiOi b c Hình . a Tụ điện CGS hình thành giữa lớp kim loại làm cực G vối kênh dăn điện bán dẫn qua lớp điện mỗi thủy tinh SiOj b Dùng nguổn V nạp cho tụ c Điện tích nhớ lưu tại trên tụ khi ngát nguđn nạp. 235 VDD muốn lưu lại thông tin này Tị T2 VA 0 VB 1 ô nhớ phải duy trì VDD. Ô nhớ của DRAM không nối trực tiếp tới V JD tuy nhiên mạch có thêm 2 linh kiện là Cqsị và CGS2 đây là các

• Điện - Điện tử
• kỹ thuật số
• giáo trình kỹ thuật số
• bài tập kỹ thuật số
• bài tập kỹ thuật số
• đề cương kỹ thuật số
• Bài tập môn Kỹ thuật số
• Bài tập môn Kỹ thuật số Phần 1
• Ôn thi Kỹ thuật số
• Bài tập Kỹ thuật số có lời giải
• Tài liệu ôn thi Kỹ thuật số
• Đề thi Kỹ thuật số
• Đề thi Kỹ thuật số có đáp án
• Câu hỏi Kỹ thuật số
• Đề thi học kỳ 1 Kỹ thuật số
• Xử lý tín hiệu số
• Kỹ thuật truyền số liệu
• Kỹ thuật chuyển mạch
• Thực hành Kỹ thuật số
• Mạch ứng dụng kỹ thuật số
• Kỹ thuật thông tin số
• kỹ thuật số hóa tín hiệu
• kỹ thuật mã hóa đường dây
• kỹ thuật mã hóa nguồn
• kỹ thuật mã hóa kênh
• kỹ thuật ghép kênh
• kỹ thuật điều chế
• kỹ thuật đa truy cập
• giáo trình điện tử số
• kỹ thuật điện tử
• công nghệ điện tử số
• tín hiệu số
• ứng dụng kỹ thuật số
• công nghệ kỹ thuật số
• Đại số Boole
• hệ thống số đếm
• Khái quát về tiền kỹ thuật số
• Ngân hàng trung ương
• Tiền kỹ thuật số
• Tiền kỹ thuật số tại Việt Nam
• Quản lý tiền kỹ thuật số
• Tiếng Anh kỹ thuật số
• Từ vựng kỹ thuật số
• Kỹ thuật số tiếng Anh
• Tiếng Anh ngành kỹ thuật
• Ngành kỹ thuật
• Bài giảng Kỹ thuật truyền số liệu
• Kỹ thuật mã hóa
• Kỹ thuật đồng bộ
• Kỹ thuật truy nhập đường truyền
• Kỹ thuật nén dữ liệu
• bài giải kỹ thuật số
• ôn tập kỹ thuật số
• môn kỹ thuật số