TAILIEUCHUNG - Handbook of algorithms for physical design automation part 77

Handbook of Algorithms for Physical Design Automation part 77 provides a detailed overview of VLSI physical design automation, emphasizing state-of-the-art techniques, trends and improvements that have emerged during the previous decade. After a brief introduction to the modern physical design problem, basic algorithmic techniques, and partitioning, the book discusses significant advances in floorplanning representations and describes recent formulations of the floorplanning problem. The text also addresses issues of placement, net layout and optimization, routing multiple signal nets, manufacturability, physical synthesis, special nets, and designing for specialized technologies. It includes a personal perspective from Ralph Otten as he looks back on. | 742 Handbook of Algorithms for Physical Design Automation this model takes the topography of the wafer into account and adjusts the polishing rate accordingly it does not consider the bending of the polishing pad. Neither does it consider the fluid mechanics. The model is purely empirical and does not depend on the pressure. Because of these shortcomings it has limited use in modeling the entire CMP process. Warnock et al. 71 propose another model that quantitatively analyzes the absolute and the relative polish rate for different sizes and pattern factors. This model defines the dependence of the polish rate on the wafer shape. In particular it takes into account all possible geometrical cases which makes it applicable to modeling of the entire CMP process. Finally a model proposed by Yu et al. 74 considers the dependence of the RR on the asperity of the polishing pad. The surface height variation for a 200 qm x 200 qm pad is reported to be 100 qm. In addition the model divides the Preston s constant K into three different parts 1 a constant only dependent on the pad roughness and its elasticity 2 a factor determined by the surface chemistry and 3 a constant that is related to the contact area. However it is not clear how these asperities affect the global quality of planarization. A global planarization quantity of 200 A over a distance of cm is reported in Ref. 64 . This variation is much less than the reported polishing pad height variation 100 qm making it unclear how the approach fits into a general CMP simulation. Oxide CMP Modeling Pattern density is a significant contributor to oxide CMP process quality. The Preston equation shows that the material RR is a linear function of the pressure which is affected by the pattern density at the interface between polishing pad and wafer. However pattern density calculation is not trivial. In fact the effective density at a particular point on the die depends on the size of the neighboring area over which .

• Vật lý
• Sổ tay thuật toán
• thiết kế vật lý tự động
• tổng quan chi tiết của VLSI
• tự động hóa
• tối ưu hóa
• định tuyến lưới nhiều tín hiệu
• tính sản xuất
• tổng hợp vật lý
• Sổ tay kỹ thuật
• giao trình
• thủy lợi
• Phó Đức Anh
• Cơ sở Kỹ thuật
• Toán học
• Sổ tay tính toán thủy lực
• Kĩ thuật công trình
• Khoa học xây dựng
• Xây dựng công trình
• tThi công công trình
• Công nghệ xây dựng
• Sổ tay kỹ thuật thủy lợi
• Công trình thủy lợi
• Hệ thống thủy lợi
• Quản lý thủy lợi
• Toán ứng dụng
• Cơ kết cấu
• Sổ tay công nghệ chế tạo máy
• Công nghệ chế tạo máy
• Kỹ thuật cơ khí
• Cơ khí chế tạo máy
• Chế độ cắt
• Tính toán chế độ cắt
• Kết cấu công trình
• Sổ tay thực hành Kết cấu công trình
• Vật liệu và thi công
• Dự toán các cấu kiện
• Kỹ thuật xây dựng
• Thực hành xây dựng
• Sổ tay công trình sư thi công
• Công trình sư thi công
• Tính nền móng
• Tính toán kết cấu gạch đá
• Chuẩn bị hiện trường thi công
• Phương pháp thoát nước
• Kĩ thuật gia cố nền
• tài liệu học môn toán
• sổ tay toán học
• từ điển toán học
• ngoại ngữ tiếng anh
• toán học tiếng anh
• thuật ngữ toán học
• từ điển anh văn
• phương pháp giải nhanh toán
• thủ thuật giải nhanh toán
• công thức toán học
• ôn thi toán học
• giáo trình toán học
• phương pháp dạy học toán
• Toán rời rạc
• toán
• rời rạc
• ôn tập toán
• bài tập toán
• ôn tập trắc nghiệm toán
• giải tích số
• Đề thi toán 10
• luyện thi toán
• kỹ thuật làm toán
• Kỹ thuật sử dụng
• bất đẳng thức
• đẳng thức cô si
• chuyên đề toán
• toán về hệ phương trình
• phương pháp giải toán
• học toán hiệu quả
• phương pháp trong tích phân
• kỹ thuật trong tích phân
• Tính năng nổi bật Android
• thế giới máy tính
• sử dụng windows 7
• sổ tay tin học
• thủ thuật máy tính
• mẹo sử dụng máy tính
• luyện thi đại học
• tự học môn toán
• đề thi toán học
• ma trận
• giải thuật
• hình học Fractal
• ánh xạ lân cận
• thuật toán ngẫu nhiên
• hình học Euclide