TAILIEUCHUNG - Silicon Carbide Materials Processing and Applications in Electronic Devices Part 9

Tham khảo tài liệu 'silicon carbide materials processing and applications in electronic devices part 9', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 270 Silicon Carbide - Materials Processing and Applications in Electronic Devices underlying continuum Thompson et al. 2006 . However there remain several common trends that exist in the observed SiC features Fig. 10. The 11 pm SiC feature observed in the spectra of carbon stars. Left hand panels represent stars that have the optically thinnest dust shells optical depth increases to the right. Top panels Ground-based observed spectra black symbols Speck et al. 1997 with best-fitting blackbody continua red lines . Bottom panels Continuum-divided spectra following Eq. 2 provide the effective Q-values or extinction efficiencies for the dust shells. Blue lines P-SiC absorbance data of Pitman et al. 2008 converted to absorptivity A eabsorbance is proportional to Q. i. Early in the AGB phase when the mass-loss rate is low and the shell is optically thin the 11 pm SiC emission feature is strong narrow and sharp. ii. As the mass loss increases and the shell becomes optically thicker the SiC emission feature broadens flattens and weakens. iii. Once the mass-loss rate is extremely high and the shell is optically thick the SiC feature appears in absorption. iv. Once the AGB phase ends and the thinning dust shell cools SiC is more rarely observed but may be hidden by other emerging spectral features. 5. Application 2 Radiative transfer modeling Radiative transfer RT modeling uses the optical functions of candidate minerals to model how a given object should look both spectroscopically and in images. Mineral candidates determined by spectral matching can then be input into numerical RT models examples of Optical Properties and Applications of Silicon Carbide in Astrophysics 271 codes used to solve the equation of radiative transfer are DUSTY Nenkova et al. 2000 and 2-Dust Ueta Meixner 2003 . The acquisition of new optical functions for SiC and all materials posited to exist in space is critical to these numerical efforts. Astrophysicists use RT modeling to determine the effects

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.