TAILIEUCHUNG - báo cáo hóa học:" Fabrication, characterization, and kinetic study of vertical single-crystalline CuO nanowires on Si substrates"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Fabrication, characterization, and kinetic study of vertical single-crystalline CuO nanowires on Si substrates | Nanoscale Research Letters SpringerOpen0 This Provisional PDF corresponds to the article as it appeared upon acceptance. Fully formatted PDF and full text HTML versions will be made available soon. Fabrication characterization and kinetic study of vertical single-crystalline CuO nanowires on Si substrates Nanoscale Research Letters 2012 7 119 doi 1556-276X-7-119 Shao-Liang Cheng slcheng@ Ming-Feng Chen wind825@ ISSN 1556-276X Article type Nano Express Submission date 30 November 2011 Acceptance date 13 February 2012 Publication date 13 February 2012 Article URL http content 7 1 119 This peer-reviewed article was published immediately upon acceptance. It can be downloaded printed and distributed freely for any purposes see copyright notice below . Articles in Nanoscale Research Letters are listed in PubMed and archived at PubMed Central. For information about publishing your research in Nanoscale Research Letters go to http authors instructions For information about other SpringerOpen publications go to http 2012 Cheng and Chen licensee Springer. This is an open access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution License http licenses by which permits unrestricted use distribution and reproduction in any medium provided the original work is properly cited. Fabrication characterization and kinetic study of vertical single-crystalline CuO nanowires on Si substrates Shao-Liang Cheng 1 and Ming-Feng Chen1 department of Chemical and Materials Engineering National Central University Chung-Li City Taoyuan County 32001 Taiwan Republic of China Corresponding author slcheng@ Email addresses S-LC slchen g@ M-FC wind825@ Abstract We report here on the first study of the growth kinetics of high-yield vertical CuO nanowires on silicon substrates produced by the process of thermal oxidation. The length of the

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.