TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Growth of Inclined GaAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy: Theory and Experiment"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Growth of Inclined GaAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy: Theory and Experiment | Nanoscale Res Lett 2010 5 1692-1697 DOI s11671-010-9698-7 NANO EXPRESS Growth of Inclined GaAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy Theory and Experiment X. Zhang V. G. Dubrovskii N. V. Sibirev G. E. Cirlin C. Sartel M. Tchernycheva J. C. Harmand F. Glas Received 2 June 2010 Accepted 2 July 2010 Published online 24 July 2010 The Author s 2010. This article is published with open access at Abstract The growth of inclined GaAs nanowires NWs during molecular beam epitaxy MBE on the rotating substrates is studied. The growth model provides explicitly the NW length as a function of radius supersaturations diffusion lengths and the tilt angle. Growth experiments are carried out on the GaAs 211 A and GaAs 111 B substrates. It is found that 20 inclined NWs are two times longer in average which is explained by a larger impingement rate on their sidewalls. We find that the effective diffusion length at 550 C amounts to 12 nm for the surface adatoms and is more than 5 000 nm for the sidewall adatoms. Supersaturations of surface and sidewall adatoms are also estimated. The obtained results show the importance of sidewall adatoms in the MBE growth of NWs neglected in a number of earlier studies. X. Zhang Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications Ministry of Education Beijing University of Posts and Telecommunications . Box 66 100876 Beijing China X. Zhang V. G. Dubrovskii N. V. Sibirev G. E. Cirlin Academic University RAS Khlopina 8 3 194021 Russia V. G. Dubrovskii G. E. Cirlin Ioffe Physical-Technical Institute RAS Politekhnicheskaya 26 194021 Russia e-mail dubrovskii@ G. E. Cirlin C. Sartel J. C. Harmand F. Glas CNRS-LPN Route de Nozay 91460 Marcoussis France M. Tchernycheva Department OptoGaN Institut d Electronique Fondamentale UMR 8622 cNrS 91405 Orsay Cedex France Keywords Inclined GaAs nanowires Molecular beam epitaxy Surface diffusion Introduction A rapidly .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• báo cáo khoa học
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học nông nghiệp
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành sinh học
• báo cáo ngành vật lý
• phân tích nhiệt
• báo cáo ngành chăn nuôi
• nghiên cứu khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• công nghiệp hóa
• hiện đại hóa
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• phát triển kinh tế
• báo cáo ngành kỹ thuật
• báo cáo về tin học
• báo cáo tiếng anh
• báo cáo kỹ thuật
• báo cáo sinh học
• báo cáo nông nghiệp
• báo cáo văn học