TAILIEUCHUNG - analog bicmos design practices and pitfalls phần 9

và vì vậy việc sử dụng các phân tích tín hiệu nhỏ cho giai đoạn phát đi theo sản lượng phải được xem xét cẩn thận. Ước tính hợp lý của cả hai đạt được điện áp và kháng đầu ra có thể thu được bằng cách sử dụng thiên vị hiện tại không hoạt động trong các phương trình miễn là các thay đổi điện áp đầu vào là vừa phải. | Figure The power transistor Q1 is held off by Q2. However at elevated temperatures Q1 leakage current is excessive turning on Q1 causing the output current Io to exceed specifications. Temperature Turns On Transistors Collector current increases with temperature. At low Vbe 250mV a collector current of a few nanoamperes is observed at room temperature. But at elevated temperatures 135 C collector currents in the hundreds of microamp range flow causing circuit failure in spite of the low Vbe. This is due to the exponential dependence of saturation current Is on temperature. The transistor Q2 in Figure controls the power transistor Q1. When Q2 is on it sinks Q1 s base current holding Q1 off. The saturation resistance of Q2 is 50 Ohms. When sinking 5mA its Vce is V. At room temperature this holds Q1 off. Leakage current of about 6nA flows in the off Q1. At elevated temperatures the saturation resistance of Q2 increases but the current through it Ib may decrease. Here we assume the voltage across Q2 does not change appreciably with temperature. It remains at V. In spite of this low Vbe Q2 begins to turn on at elevated temperatures. At elevated temperatures the saturation current Is increases causing the Q1 collector current Io to increase from nanoamps to hundreds of microamps. Since Q1 is off this constitutes circuit failure. Since Ic Isexp Vbe VT where VT is the thermal voltage at room temperature Q1 carries 100mA at Vbe . This corresponds to Is 4E-13 A. With Vbe the collector current for Q1 is . The saturation current Is is a function of the strongly temperature dependent quantity intrinsic carrier concentration nj. SPICE models the temperature dependence of the saturation current Is using the following Figure A SPICE simulation showing Is is a nearly exponential function of temperature. equation I. T2 I XT -Kg 1 - I T1 300 K. T2 415 K 135 C. The junction temperature is 10 degrees above the 125 C ambient. IS T1 4E-13. .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.