TAILIEUCHUNG - Advances in Solid State Part 13

Tham khảo tài liệu 'advances in solid state part 13', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 17 Liquid Phase Oxidation on InGaP and Its Applications Yeong-Her Wang1 and Kuan-Wei Lee2 institute of Microelectronics Department of Electrical Engineering Advanced Optoelectronic Technology Center National Cheng-Kung University Tainan 701 2Department of Electronic Engineering I-Shou University Kaohsiung County 840 Taiwan 1. Introduction High-electron-mobility transistors HEMTs and heterojunction bipolar transistors HBTs have attracted many attentions in high speed and power applications due to the superior transport properties. As compared to AlGaAs pseudomorphic HEMTs PHEMTs InGaP-related devices have advantages such as higher band gaps higher valence-band discontinuity 1 negligible deep-complex DX centers 2 excellent etching selectivity between InGaP and GaAs good thermal stabilities 3-5 higher Schottky barrier heights 3 and so on. Particularly the use of an undoped InGaP insulator takes the advantages of its low DX centers and low reactivity with oxygen 6-10 which may still suffer from the high gate leakage issue. In order to inhibit the gate leakage issue increase the power handling capabilities and improve the breakdown voltages a metal-oxide-semiconductor MOS structure has been widely investigated. However it is still lacks a reliable native oxide film growing on InGaP and very few papers have reported on InGaP InGaAs MOS-PHEMTs. In addition the MOS-PHEMT not only has the advantages of the MOS structure . lower leakage current and higher breakdown voltage but also has the high-density high-mobility 2DEG channel. Over the past years a study on the liquid phase oxidation LPO of InGaP near room temperature has been done 11-14 . The application of surface passivation to improve the InGaP GaAs HBTs performance has also been first demonstrated 13 . The InGaP GaAs HBTs with surface passivation by LPO exhibit significant improvement in current gain at low collector current regimes due to the reduction of surface recombination current as compared to those without

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.