TAILIEUCHUNG - Giáo trình môn học công nghệ vi điện tử 10

Ôxi hoá - trong quá trình chế tạo mạch tích hợp người ta thường phải dùng lớp SiO2 trên bề mặt tinh thể Si Lớp SiO2 này có hệ số dãn nở nhiệt gần bằng hệ số giản nở nhiệt của Si, với hằng số điện môi ~ 4, có tác dụng bảo vệ bề mặt các linh kiện bán dẫn dưới tác dụng của môi trường bên ngoài, che chắn bề mặt Si trong quá trình khuếch tán định xứ các tạp chất như P và B. | At this stage the drain and source diffusions for both the n-channel and p-channel transistors arc added. Although two different types of diffusions and hence two separate masks are required the designer need specify only one of the two masks in this process only those areas not protected by field oxide arc capable of accepting any diffusion impurities. This is termed the moat or active region. It is further provided in this process that any moat area that is not exposed to n-type impurities will be exposed to p-type impurities. Consequently the designer selects those moat regions that are to become p-type with Mask 4 which is termed the p select mask. The n select mask Mask 5 which is used to pattern those regions of moat that are to become n-typc is automatically generated from the complement of the p select mask intersected with the moat active mask. p select is used in the substrate to form p-channel transistors and interconnects and is used in the p-wcll to provide ohmic contact to the p-well as well as for guard rings. Correspondingly n select is used in the p-well to form n-channel transistors and interconnects and in the substrate to make top ohmic contacts as well as additional guard rings. Further comments about guard rings and their role in latch-up protection appear in Section . As was the case in the NMOS process the polysilicon layer or layers are patterned prior to the p and n diffusions. The poly silicon that lies in the moat serves as a diffusion mask for these diffusions and provides self-alignment of the gate with the drain and source regions The n and diffusions are much shallower than the p-well diffusion and arc typically in the 5000 Ả and 7000 Ả ranges respectively. Following the p and n diffusions which occur prior to Step 36 in the process scenario the cross-sectional profile is as shown in Fig. . The n-channel and p-channel transistors along with the ohmic contacts and guard rings arc clearly visible at this stage. A thick .

• Điện - Điện tử
• Bài giảng vi điện tử
• vi mạch điện tử
• đề cương vi xử lí
• kỹ thuật mạch điện tử
• giáo trình thiết kế điện
• Bài giảng Toán 2 Chương 5 bài 23
• Chu vi tam giác
• Chu vi tứ giác
• Cách tìm chu vi tam giác
• Bài giảng điện tử Toán 2
• Bài giảng điện tử lớp 2
• Bài giảng điện tử
• Bài giảng Ví thanh toán điện tử
• Ví thanh toán điện tử
• Tài khoản điện tử
• Công cụ thanh toán điện tử
• Xây dựng ví thanh toán điện tử
• Ví điện tử
• Bài giảng Pháp luật thương mại điện tử
• Pháp luật thương mại điện tử
• Giải quyết tranh chấp trong thương mại điện tử
• Vi phạm pháp luật trong thương mại điện tử
• Phương thức giải quyết tranh chấp thương mại điện tử
• Phòng ngừa vi phạm pháp luật trong thương mại điện tử
• Bài giảng Toán 3 Chương 2 bài 35
• Chu vi hình chữ nhật
• Công thức tính chu vi hình chữ nhật
• Cách tính chu vi hình chữ nhật
• Bài giảng điện tử Toán 3
• Bài giảng điện tử lớp 3
• Bài giảng Toán 3 Chương 2 bài 36
• Chu vi hình vuông
• Công thức tính chu vi hình vuông
• Cách tính chu vi hình vuông
• Bài giảng Sinh học 6 bài 50
• Bài giảng điện tử Sinh học 6
• Bài giảng điện tử lớp 6
• Bài giảng lớp 6 Sinh học
• Hình dạng của vi khuẩn
• Kích thước của vi khuẩn
• Cấu tạo của vi khuẩn
• Bài giảng Vật lý 7 Bài 24
• Cường độ dòng điện
• Tác dụng dòng điện
• Đơn vị Am pe kế
• Đơn vị cường độ dòng điện
• Bài giảng điện tử Vật lý 7
• Bài giảng điện tử lớp 7
• Thương mại điện tử
• Tranh chấp thương mại điện tử
• Giải quyết tranh chấp thương mại điện tử
• Vi phạm pháp luật thương mại điện tử
• Bài giảng Vật lý 11 Bài 6
• Bài giảng điện tử Vật lý 11
• Bài giảng điện tử lớp 11
• Bài 6 Tụ điện
• Cấu tạo của tụ điện
• Đơn vị điện dung
• Ý nghĩa điện dung
• Bài giảng Thanh toán điện tử
• Thanh toán điện tử
• Hệ thống thanh toán ví điện tử
• Quy trình thanh toán ví điện tử
• Phân loại ví điện tử
• các vi mạch số
• Giáo trình vi xử lý
• kỹ thuật điện điện tử
• tài liệu điện tử viễn thông
• bài giảng vi xử lý
• điện tử số
• công nghệ điện tử
• tài liệu mạch điện tử
• Bài giảng Sinh học 6 bài 5
• Bài giảng môn Sinh học lớp 6
• Kính hiển vi và cách sử dụng
• Kính lúp và kính hiển vi
• Các bước sử dụng kính hiển vi
• Công nghệ vi điện tử
• Giáo trình Công nghệ vi điện tử
• Bài giảng Công nghệ vi điện tử
• Mạch tính hợp
• Đặc tính linh kiện MOS
• Công nghệ xử lý CMOS
• Bài giảng Sinh học 10 bài 26
• Bài giảng điện tử Sinh học 10
• Bài giảng điện tử lớp 10
• Bài giảng lớp 10 Sinh học
• Sinh sản của vi sinh vật
• Sinh trưởng của vi sinh vật
• Sinh sản ở vi sinh vật nhân sơ
• Bài giảng Tiếng việt 4 Tuần 13
• Tập đọc Người tìm đường lên các vì sao
• Người tìm đường lên các vì sao
• Tập viết Người tìm đường lên các vì sao
• Bài giảng điện tử Tiếng việt 4
• Bài giảng điện tử lớp 4
• Bài giảng Toán 3 Chương 3 bài 4
• So sánh số trong phạm vi 10000
• Đọc các số trong phạm vi 10000
• So sánh các số tự nhiên
• Bài giảng Toán 3 Chương 4 bài 3
• So sánh số trong phạm vi 100000
• Đọc các số trong phạm vi 100000
• Bài giảng Toán 1 chương 2 bài 17
• Bài giảng điện tử Toán 1
• Bài giảng Toán lớp 1
• Bài giảng điện tử lớp 1
• Bảng cộng và bảng trừ trong phạm vi 10
• Bảng cộng trong phạm vi 10
• Bảng trừ trong phạm vi 10
• giáo trình mạch điện tử
• vi điều khiển
• hệ thống vi xử
• lập trình hợp ngữ
• Bài giảng Linh kiện điện tử
• Linh kiện điện tử
• Vi mạch tích hợp
• Phân loại vi mạch tích hợp
• Phương pháp chế tạo vi mạch tích hợp
• Chế tạo vi mạch tích hợp bán dẫn
• Vi mạch tuyến tính
• hệ thống điện
• mạch điện ứng dụng
• điện tử công suất
• Trường điện từ
• tài liệu môn điện
• giáo trình điện tử