TAILIEUCHUNG - Electronics and Circuit Analysis Using MATLAB P12

In this chapter, MATLAB will be used to solve problems involving metaloxide semiconductor field effect and bipolar junction transistors. The general topics to be discussed in this chapter are dc model of BJT and MOSFET, biasing of discrete and integrated circuits, and frequency response of amplifiers. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS Bipolar junction transistor (BJT) consists of two pn junctions connected backto-back. The operation of the BJT depends on the flow of both majority and minority carriers. There are two types of BJT: npn and pnp transistors. The electronic symbols of the two types of transistors are shown in Figure . C IC B IC B IB IB E IE C IE (a). | Attia John Okyere. Transistor Circuits. Electronics and Circuit Analysis using MATLAB. Ed. John Okyere Attia Boca Raton CRC Press LLC 1999 1999 by CRC PRESS LLC CHAPTER TWELVE TRANSISTOR CIRCUITS In this chapter MATLAB will be used to solve problems involving metaloxide semiconductor field effect and bipolar junction transistors. The general topics to be discussed in this chapter are dc model of BJT and MOSFET biasing of discrete and integrated circuits and frequency response of amplifiers. BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS Bipolar junction transistor BJT consists of two pn junctions connected back-to-back. The operation of the BJT depends on the flow of both majority and minority carriers. There are two types of BJT npn and pnp transistors. The electronic symbols of the two types of transistors are shown in Figure . Ic C B E Ie a b Figure a NPN transistor b PNP Transistor The dc behavior of the BJT can be described by the Ebers-Moll Model. The equations for the model are 1F 1 ES V VBE 1 exp -1 VBC Ï BC exp v -1 Ir ICS 1999 CRC Press LLC and Ic aFIF - IR IE - IF aRIR and IB 1 - Xf If 1 - Ur Ir where IES and ICS are the base-emitter and base-collector saturation currents respectively aR is large signal reverse current gain of a common-base configuration aF is large signal forward current gain of the common-base configuration. and kT VT ---- q where k is the Boltzmann s constant k x 10-23 o K T is the absolute temperature in degrees Kelvin and q is the charge of an electron q x 10-19 C . The forward and reverse current gains are related by the expression a I aR CS a I aF1 ES Is where IS is the BJT transport saturation current. The parameters aR and aF are influenced by impurity concentrations and junction depths. The saturation current IS can be expressed as 1999 CRC Press .

• Tự động hoá
• Tự động hóa
• Năng lượng
• Cơ khí chế tạo máy
• Điện – điện tử
• Kiến trúc xây dựng
• Bài giảng Tự động hóa
• Tự động hóa quá trình sản xuất
• Tự động hóa quá trình lắp ráp
• Định vị chi tiết
• Lắp ráp tự động
• Xác định chế độ lắp ráp tự động
• Ứng dụng Robot trong lắp ráp tự động
• tự động hóa trong xây dựng
• giáo trình tự động hóa trong xây dựng
• bài giảng tự động hóa trong xây dựng
• tài liệu tự động hóa trong xây dựng
• lý thuyết tự động hóa trong xây dựng
• hệ thống tự động hóa trong xây dựng
• Giáo trình Tự động hóa
• Tự động hóa trong hệ thống điện
• Tài liệu tự động hóa
• Tìm hiểu tự động hóa hệ thống điện
• Khái niệm tự động hóa
• Lịch sử tự động hóa
• Sửa chữa thiết bị tự động hóa
• Thiết bị tự động hóa
• Giáo trình Lắp đặt thiết bị đo lường tự động hóa
• Lắp đặt thiết bị đo lường tự động hóa
• Thiết bị đo lường tự động hóa
• Dầu bôi trơn
• đề cương tự động hóa
• phương pháp tự động hóa
• Hệ thống tự động hóa
• Tự động hóa trong quá trình sản xuất
• Hệ thống điều khiển tự động
• Tự động hóa quá trình cắt phôi
• Tự động hóa quá trình kiểm tra
• Tự động điều khiển máy móc
• Tự động hóa quá trình công nghệ
• Lý thuyết điều khiển tự động
• Hệ thống rửa xe tự động
• Đồ án tự động hóa
• Hệ thống tự động
• Kiểm tra tự động
• Thiết bị phân loại tự động
• Hệ thống sản xuất tự động hóa
• lập trình tự động hóa
• tài liệu lập trình tự động hóa
• hướng dẫn lập trình tự động hóa
• phương pháp lập trình tự động hóa
• kinh nghiệm lập trình tự động hóa