TAILIEUCHUNG - Cộng hưởng Electron phonon trong dây lượng tử hình chữ nhật

Bài viết Cộng hưởng Electron phonon trong dây lượng tử hình chữ nhật trình bày Tương tác electron-phonon và cộng hưởng electron - phonon (EPR) trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế vô hạn dưới tác dụng của trường laser được nghiên cứu về mặt lý thuyết dựa trên phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái loại II,. . | CỘNG HƯỞNG ELECTRON-PHONON TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH CHỮ NHẬT LÊ ĐÌNH Trường Đại học Sư phạm - Đại học Huế NGUYỄN ĐÌNH HIÊN Học viên Cao học, Trường ĐHSP - Đại học Huế Tóm tắt: Tương tác electron-phonon và cộng hưởng electron - phonon (EPR) trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế vô hạn dưới tác dụng của trường laser được nghiên cứu về mặt lý thuyết dựa trên phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái loại II. Từ đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của công suất hấp thụ vào tần số trường laser chúng tôi thu được đồ thị diễn tả sự phụ thuộc của nửa độ rộng vạch phổ vào nhiệt độ và kích thước của dây. Kết quả thu được cho thấy độ cao của đỉnh cộng hưởng và nửa độ rộng vạch phổ tỷ lệ thuận với nhiệt độ và tỷ lệ nghịch với kích thước của dây. 1 GIỚI THIỆU Cộng hưởng electron-phonon là một hiện tượng thú vị xảy ra trong bán dẫn dưới tác dụng của trường ngoài. Hiện tượng này liên quan đến tính kỳ dị của mật độ trạng thái của electron trong bán dẫn. Khi hiệu số hai mức năng lượng của electron bằng năng lượng phonon cùng với điều kiện thế đặt vào đủ lớn thì sẽ xảy ra sự cộng hưởng EPR [1, 2]. Việc nghiên cứu tương tác electron-LO phonon trong bán dẫn dây lượng tử dưới tác dụng của trường laser đã và đang được các nhà khoa học rất quan tâm. Sở dĩ như vậy là đối với một bán dẫn có độ tinh khiết cao thì tương tác electron-phonon là loại tương tác chủ yếu. Nó sẽ góp phần làm sáng tỏ các tính chất mới của khí electron chuẩn 1 chiều dưới tác dụng trường ngoài, từ đó cung cấp thông tin về tinh thể và tính chất quang của dây lượng tử bán dẫn cho công nghệ chế tạo các linh kiện quang điện tử và quang tử. Bài báo được phân bố như sau: trong phần 2 chúng tôi sử dụng phép chiếu phụ thuộc trạng thái loại II để tính biểu thức tenxơ độ dẫn và công suất hấp thụ. Kết quả tính số và vẽ đồ thị giới thiệu ở mục 3, cuối cùng là phần kết luận ở mục 4. Tạp chí Khoa học và Giáo dục, Trường Đại học Sư phạm Huế ISSN 1859-1612, Số 04(12)/2009: tr. 5-10 6 LÊ ĐÌNH - NGUYỄN ĐÌNH HIÊN 2 BIỂU THỨC CỦA

• Điện - Điện tử
• Cộng hưởng Electron phonon
• Electron phonon trong dây lượng tử
• Dây lượng tử hình chữ nhật
• Cộng hưởng trong dây lượng tử
• Electron phonon trong dây lượng tử hình chữ nhật
• Luận án tiến sĩ vật lý
• Sự giam giữ phonon
• Hiệu ứng cộng hưởng
• Tương tác electron phonon
• Giếng lượng tử
• Phổ năng lượng của electron
• Hấp thụ tuyến tính
• Độ rộng vạch phổ
• Công suất hấp thụ
• Luận án Tiến sĩ
• Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
• Cộng hưởng từ phonon
• Tóm tắt luận án tiến sĩ vật lý
• Tóm tắt luận án Vật lý lý thuyết
• Vật lý lý thuyết
• Vật lý toán
• Luận văn Thạc sĩ
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Giếng lượng tử thế tam giác
• Dò tìm cộng hưởng electron phonon bằng quang học
• Độ rộng vạch phổ hấp thụ
• Phương pháp quang học
• Năng lượng photon
• Dò tìm cộng hưởng
• Electron phonon bằng quang học
• Bằng quang học
• Lượng tử thế dao động điều hòa
• Thế tam giác
• Công suất hấp thụ tuyến tính
• Phương pháp toán tử
• Dây lượng tử thế
• Lượng tử thế Parabol
• Quang học cộng hưởng
• Phương pháp chiếu toán tử độc lập