TAILIEUCHUNG - Chế tạo chấm lượng tử CdSe bằng phương pháp hóa sạch

Bài báo trình bày kết quả nghiên cứu chế tạo các chấm lượng tử CdSe có kích thước 2,8-5,0nm, sử dụng nguyên liệu CdO và hệ thống phản ứng kín. Vật liệu chế tạo được có hình dạng tựa cầu với độ phân tán kích thước khoảng 10%. Chất liệu vật liệu tốt được khẳng định bằng phương pháp đo huỳnh quang và hiệu suất lượng tử huỳnh quang. | TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ Tập 46 số 3 2008 Tr. 87-92 CHẾ TẠO CHẮM LƯỢNG TỬ CdSe BẰNG PHƯƠNG PHẲP HÓA SẠCH ỨNG THỊ DIỆU THỦY NGUYÊN QUANG LIÊM 1. MỞ ĐÀU Gần đây các chấm lượng tử QD bán dẫn hợp chất II-VI như CdSe 1 CdZnSe 2 CdSSe 3 được quan tâm nghiên cứu nhiều do có thể phát quang hiệu suất cao tron vùng phổ khả kiến sóng ngắn đến hồng ngoại gần tuỳ thuộc vào kích thước vật liệu. Đã có nhiều công bố quan trọng liên quan đến công nghệ chế tạo vật liệu 1 cũng như ứng dụng của chún trong đánh dấu sinh học 4-6 pin mặt ừời 7 và ứng dụng làm vật liệu phát quang trong chiêu sáng rắn . 8 - 9 . Tiến bộ đặc biệt trong công nghệ chế tạo các QD CdE E s Se Te với kích thước 1 2 - 11 5 nm đã được Murray và cộng sự thực hiện từ hợp chất cơ kìm của Cd điển hình là Cd CH3 2 ở nhiệt độ cao 300 C 1 . Công nghệ chế tạo CdSe từ Cd CH3 2 cho phép chê tạo được vật liệu có độ đồng nhất cao với độ sai khác kích thước 5 sau khi thực hiện kết tủa chọn lọc có tính chất phát quang tốt. Tuy nhiên nhiều nhà nghiên cứu đã nhận thấy việc sử dụng tiền chất cơ kim Cd CH3 2 là rất độc rất đắt không bền ở nhiệt độ phòng dễ cháy nổ ở nhiệt độ cao khi phản ứng để tạo CdSe do giải phóng một lượng khí lớn 10 . Vỉ vậy không sản xuất được lượng lớn QD CdSe từ nguyên liệu cơ kim của Cd. Thành công có tính đột phá để khắc phục những hạn chế trên đã được Peng và cộng sự thực hiện chế tạo QD CdSe chất lượng cao từ các hợp chất vô cơ ít độc hại như CdO CdCl2 CdCO3. với Rich thước từ 1 5 nm đến 25 nm có độ sai lệch phân bố kích thước khoảng 5 - 10 không cận hải kết tủa chọn lọc và hiệu suất lượng tử huỳnh quang đạt 20 - 30 11 Phân tích quá trình phản ứng hoá học cho thấy dù xuất phát từ các hợp chất vô cơ của Cd nhưng trong trioctylphosphine oxide TOPO ở nhiệt độ cao Cd sẽ tạo phức với các phối tử mạnh như hexyl- tetradecyl- hoặc dodecyl-phosphonic axít DDPA trở thành phức chất tương tự như một hợp thất cơ kim. Phức chất này sẽ phản ứng với Se đã được hòa tan trong các dung môi trioctylphosphine TOP hoặc .

• Hoá học
• Công nghệ hóa
• Chấm lượng tử CdSe
• Phương pháp hóa sạch
• Công nghệ vật liệu
• Công nghệ chế tạo
• Hóa vô cơ
• Kỹ thuật hệ thống công nghệ hóa học
• Hệ thống công nghệ hóa học
• Công nghệ hóa học
• Tối ưu hóa
• Quá trình công nghệ hóa học
• Phương pháp giải thích
• Quy hoạch toán học
• Phương pháp gradient
• Mô hình hóa công nghệ hóa học
• Nghiên cứu công nghệ hóa học
• Mô tả công nghệ hóa học
• giáo trình công nghệ hóa học
• thiết bị công nghệ hóa học
• bài giảng công nghệ hóa học
• công nghệ hóa chất
• tài liệu công nghệ hóa chất
• áp dụng công nghệ hóa chất
• tìm hiểu công nghệ hóa chất
• nghiên cứu công nghệ hóa chất
• công nghệ hóa dầu
• bài giảng công nghệ hóa dầu
• giáo trình công nghệ hóa dầu
• tài liệu công nghệ hóa dầu
• lý thuyết công nghệ hóa dầu